北京超弦存储器研究院王海玲获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545778B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311116234.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备是由王海玲;王祥升;宋艳鹏;刘晓萌;王桂磊;赵超设计研发完成，并于2023-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件的制造方法包括：沿着衬底的厚度方向，在衬底上形成依次交替设置的牺牲层和导电层，依次交替设置的牺牲层和导电层形成堆叠结构，牺牲层和导电层的晶格失配度为小于等于0.5％；通过图案化的蚀刻，在堆叠结构中形成沿着垂直于衬底方向延伸的凹槽，凹槽将导电层的侧壁和牺牲层的侧壁暴露；对暴露的牺牲层的侧壁进行选择性刻蚀，去除牺牲层，形成空腔，并保留导电层，空腔将导电层的至少部分侧面暴露；采用绝缘层将空腔和凹槽填充；去除部分绝缘层，形成通道，通道将导电层的至少部分侧面暴露；在暴露的导电层的侧面上依次形成栅极绝缘层和栅电极。
本发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 沿着衬底的厚度方向，在所述衬底上形成依次交替设置的牺牲层和导电层，所述依次交替设置的牺牲层和导电层形成堆叠结构，所述牺牲层和所述导电层的晶格失配度为小于等于0.5％； 通过图案化的蚀刻，在所述堆叠结构中形成沿着垂直于所述衬底方向延伸的凹槽，所述凹槽将所述导电层的侧壁和所述牺牲层的侧壁暴露； 对暴露的所述牺牲层的侧壁进行选择性刻蚀，去除所述牺牲层，形成空腔，并保留所述导电层，所述空腔将所述导电层的至少部分侧面暴露； 采用绝缘层将所述空腔和所述凹槽填充； 去除部分所述绝缘层，形成通道，所述通道将所述导电层的至少部分侧面暴露； 在暴露的所述导电层的侧面上依次形成环绕所述导电层的栅极绝缘层和栅电极。
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