中国科学院半导体研究所崔金来获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利高饱和光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545973B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311090938.2，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权高饱和光电探测器及其制备方法是由崔金来;郑军;刘香全;刘智;左玉华;成步文设计研发完成，并于2023-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本高饱和光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种高饱和光电探测器及其制备方法，该高饱和光电探测器包括：N型硅衬底1；载流子渡越区2、光电子有源区3和P型接触层4，依次生长在N型硅衬底1上；第一金属电极81，设于P型接触层4上；第二金属电极82，设于N型硅衬底1上；电学隔离层7，生长在N型硅衬底1的台面上，以及，生长在载流子渡越区2、光电子有源区3和P型接触层4的表面；增透膜，生长在P型接触层4的上表面的裸露区域及电学隔离层7上表面；其中，载流子渡越区2和光电子有源区3的厚度经过设计，使光生电子和空穴的渡越时间相同，可以减少高功率下载流子不及时导出造成的阻塞。
本发明授权高饱和光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高饱和光电探测器，其特征在于，包括： N型硅衬底1； 载流子渡越区2，生长在所述N型硅衬底1的中心区域； 光电子有源区3，生长在所述载流子渡越区2的上表面； P型接触层4，生长在所述光电子有源区3的上表面； 第一金属电极81，设于所述P型接触层4上； 第二金属电极82，设于所述N型硅衬底1上； 电学隔离层7，生长在所述N型硅衬底1裸露的台面上，以及，生长在所述载流子渡越区2、所述光电子有源区3和所述P型接触层4的侧壁及从所述P型接触层4的边缘延伸至所述第一金属电极81的区域； 增透膜，生长在所述P型接触层4的上表面的裸露区域及所述电学隔离层7上表面； 其中，所述载流子渡越区2和所述光电子有源区3的厚度经过设计，使光生电子和空穴的渡越时间相同。
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