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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种高温热稳定的二维场效应晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562540B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411639264.1，技术领域涉及：H10D30/00；该发明授权一种高温热稳定的二维场效应晶体管及制备方法是由冯欣;宋苏文;张苇杭;吴银河;董鹏飞;周弘;刘志宏;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高温热稳定的二维场效应晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高温热稳定的二维场效应晶体管及制备方法，主要解决目前二维场效应晶体管中二维材料高温下会氧化分解的问题。其自下而上包括:衬底1、绝缘封装保护底层2、二维材料薄膜层3、绝缘封装保护顶层6，栅电极7，薄膜层3的两端为源电极4和漏电极5，该封装保护底层和封装保护顶层，均采用氮化铝，六方氮化硼或氮化硅中的任意一种或多种组合，以避免高温下空气中氧分子扩散到二维材料薄膜层反应，使其在高温保护中发挥作用；该二维材料薄膜层采用二硫化钼或二硫化钨或二硒化钨。本发明提高了二维场效应晶体管的耐高温性能，避免了二维材料在高温下的氧化分解，可用于航空航天、深井钻探或其它高温环境。

本发明授权一种高温热稳定的二维场效应晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高温热稳定的二维场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述高温热稳定的二维场效应晶体管自下而上依次包括衬底1、封装保护底层2、二维材料薄膜层3、封装保护顶层6，栅电极7，二维材料薄膜层3的两端为源电极4和漏电极5；所述封装保护底层2和所述封装保护顶层6，均采用氮化铝，六方氮化硼和氮化硅中的任意两种或多种组合，以避免高温下空气中氧分子扩散到二维材料薄膜层反应，在高温保护中发挥作用；所述二维材料薄膜层3，采用二硫化钼，二硫化钨，二硒化钨中的一种；所述方法包括以下步骤： §1：选取目标衬底，分别利用丙酮、异丙醇、去离子水对其表面进行超声清洗，再用氮气吹干以确保得到表面清洁且平整的基底； §2：在基底上通过金属有机化学气相沉积或磁控溅射或转移法得到封装保护底层2； §3：使用化学气相沉积在另外的基底表面生长待转移的二维材料薄膜； §4：利用PMMA辅助转移法将生长得到的二维材料薄膜转移至封装保护底层上作为晶体管的二维材料薄膜层3； §5：在转移了二维材料的衬底上，通过金属有机化学气相沉积或磁控溅射或转移法得到封装保护顶层6； §6：在封装保护顶层的表面匀涂光刻胶，经过前烘、光刻，再依次刻蚀封装保护顶层、二维材料薄膜、封装保护底层，得到隔离区； §7：刻蚀完隔离区后，通过传统光刻后对封装保护顶层再次刻蚀以制作源漏电极的接触区； §8：通过电子束蒸发系统在刻蚀后的源极区域和漏极区域沉积源漏电极的金属，沉积完金属后，经过剥离工艺形成源电极4与漏电极5； §9：通过光刻、电子束蒸发与剥离工艺制备顶栅金属电极7，完成器件的制作。

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