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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种金刚石高速反相器电路及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119582838B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411647323.X，技术领域涉及：H03K19/20；该发明授权一种金刚石高速反相器电路及其制备方法是由付裕;李思佳;张雅超;张金风;任泽阳;苏凯;张进成;何晓宁;肖雨佳;马尚;郝跃设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金刚石高速反相器电路及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金刚石高速反相器电路及其制备方法，金刚石高速反相器包括氢硅复合终端E模器件和氢终端D模器件；其中，氢硅复合终端E模器件和氢终端D模器件共享金刚石衬底；金刚石衬底包括单晶金刚石衬底和叠加于单晶金刚石衬底之上的非掺杂金刚石外延层；氢硅复合终端E模器件的终端层为氢硅复合终端金刚石；氢终端D模器件的终端层为第一氢终端金刚石；氢硅复合终端E模器件和氢终端D模器件之间设置有隔离区；氢硅复合终端E模器件的E模器件漏极、氢终端D模器件的D模器件源极以及氢终端D模器件的D模器件栅极通过金属互连线互连，实现了更高的性能、更高的安全性和更高的响应速度。

本发明授权一种金刚石高速反相器电路及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石高速反相器电路，其特征在于，所述金刚石高速反相器包括： 氢硅复合终端E模器件和氢终端D模器件；所述氢硅复合终端E模器件和所述氢终端D模器件共享金刚石衬底；所述金刚石衬底包括单晶金刚石衬底和叠加于所述单晶金刚石衬底之上的非掺杂金刚石外延层；所述氢硅复合终端E模器件的终端层为氢硅复合终端金刚石；所述氢终端D模器件的终端层为第一氢终端金刚石； 所述氢硅复合终端E模器件和所述氢终端D模器件之间设置有隔离区； 所述氢硅复合终端E模器件的E模器件漏极、所述氢终端D模器件的D模器件源极以及所述氢终端D模器件的D模器件栅极通过金属互连线互连； 所述氢硅复合终端E模器件包括： 金刚石衬底； 叠加于所述金刚石衬底上表面的第一p型重硼掺杂金刚石和第二p型重硼掺杂金刚石；所述第一p型重硼掺杂金刚石和所述第二p型重硼掺杂金刚石的下表面均深入所述金刚石衬底中； 叠加于所述金刚石衬底上表面且位于所述第一p型重硼掺杂金刚石和所述第二p型重硼掺杂金刚石之间的氢硅复合终端金刚石；所述氢硅复合终端金刚石的两侧分别与所述第一p型重硼掺杂金刚石和所述第二p型重硼掺杂金刚石形成接触；所述氢硅复合终端金刚石包括硅终端金刚石和位于所述硅终端金刚石两侧的第二氢终端金刚石； E模器件源极；所述E模器件源极叠加于所述第一p型重硼掺杂金刚石之上； E模器件漏极；所述E模器件漏极叠加于所述第二p型重硼掺杂金刚石之上； E模器件栅极钝化层；所述E模器件栅极钝化层设置在所述氢硅复合终端金刚石上表面且向两侧延伸覆盖部分所述第一p型重硼掺杂金刚石和所述第二p型重硼掺杂金刚石的上表面； E模器件栅极；所述E模器件栅极叠加于所述E模器件栅极钝化层之上； 所述氢终端D模器件包括： 金刚石衬底； 叠加于所述金刚石衬底上表面的第三p型重硼掺杂金刚石和第四p型重硼掺杂金刚石；所述第三p型重硼掺杂金刚石和所述第四p型重硼掺杂金刚石的下表面均深入所述金刚石衬底中； 叠加于所述金刚石衬底上表面且位于所述第三p型重硼掺杂金刚石和所述第四p型重硼掺杂金刚石之间的第一氢终端金刚石；所述第一氢终端金刚石的两侧分别与所述第三p型重硼掺杂金刚石和所述第四p型重硼掺杂金刚石形成接触； D模器件源极；所述D模器件源极叠加于所述第三p型重硼掺杂金刚石之上； D模器件漏极；所述D模器件漏极叠加于所述第四p型重硼掺杂金刚石之上； D模器件栅极钝化层；所述D模器件栅极钝化层设置在所述第一氢终端金刚石上表面且向两侧延伸覆盖部分所述第三p型重硼掺杂金刚石和所述第四p型重硼掺杂金刚石的上表面； D模器件栅极；所述D模器件栅极叠加于所述D模器件栅极钝化层之上。

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