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龙图腾网获悉浙江大学绍兴研究院申请的专利基于场效应晶体管的压力传感器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119618422B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411703629.2，技术领域涉及：G01L1/00；该发明授权基于场效应晶体管的压力传感器件及其制造方法是由张睿;周珂设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于场效应晶体管的压力传感器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于场效应晶体管的压力传感器件及其制造方法，基于场效应晶体管的压力传感器件包括SOI衬底，所述SOI衬底上方设置硅锗外延层，氧化浓缩形成SGOI衬底，在所述SGOI衬底上光刻出栅极，所述栅极两侧分别设有金属源端和金属漏端，所述金属源端和所述金属漏端上分别设置接触电极并接引线，从而分别作为源极和漏极，在所述SGOI衬底的背面刻蚀凹槽作为压力感应点。本发明公开的基于场效应晶体管的压力传感器件及其制造方法，在压力状态下，硅锗背面受到张应力，载流子迁移率改变导致源漏输出电流大小变化，具有反向初始应变的硅锗场效应晶体管能延缓应力释放，实现压力值定量标定的同时增大测量范围。

本发明授权基于场效应晶体管的压力传感器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于场效应晶体管的压力传感器件，其特征在于，包括SOI衬底，所述SOI衬底上方设置硅锗外延层，氧化浓缩形成SGOI衬底，在所述SGOI衬底上光刻出栅极，所述栅极两侧分别设有金属源端和金属漏端，所述金属源端和所述金属漏端上分别设置接触电极并接引线，从而分别作为源极和漏极，在所述SGOI衬底的背面刻蚀凹槽作为压力感应点； 所述SOI衬底包括硅衬底、埋藏氧化层和顶部硅层，所述埋藏氧化层位于所述硅衬底和所述顶部硅层之间，所述埋藏氧化层厚度为200纳米至800纳米，顶部硅层为低浓度p型掺杂，厚度为10纳米至30纳米； 所述顶部硅层远离所述埋藏氧化层的一侧生长低锗浓度的所述硅锗外延层，硅锗外延层的锗分数为0.1至0.25，厚度为30纳米至80纳米； 对于所述SGOI衬底的形成，利用氧化浓缩技术，在高温下进行氧化，所述硅锗外延层中的锗向下扩散，使得硅被选择性氧化，所述顶部硅层及其上方低锗浓度的所述硅锗外延层转变为高锗浓度硅锗，并且保留压缩应变，从而整体形成所述SGOI衬底； 基于场效应晶体管的压力传感器件的制造方法，包括以下步骤： 步骤S1：提供SOI衬底，在SOI衬底表面外延一层低锗含量的硅锗外延层，高温下选择性氧化形成有压缩应变的SGOI衬底； 步骤S2：在SGOI衬底表面沉积栅极氧化层，并且在栅极氧化层上制备栅极接触电极，光刻图像后作为栅极； 步骤S3：在有栅极的SGOI衬底的一侧沉积金属镍，高温退火形成NiSiGep-SiGe肖特基结作为金属源端和金属漏端，并去除金属镍，金属源端和金属漏端分别沉积金属形成欧姆接触并做电极引线，从而分别作为源极和漏极，沉积的金属镍厚度为20纳米至40纳米，源端和漏端形成的退火方法包括热退火、微波退火或激光退火，不同退火温度形成肖特基结势垒高度不同，在金属源漏端的SGOI衬底进行欧姆接触金属沉积，金属源漏端的电极引线材料为铝、镍或铜，沉积方式包括磁控溅射或热氧化； 步骤S4：在SGOI衬底的背面刻蚀凹槽，露出埋藏氧化层，作为施加外界压力的接触点。

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