杭州师范大学黄又举获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州师范大学申请的专利一种光子晶体-等离基元超晶格复合超结构及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119620250B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411946079.7，技术领域涉及：G02B1/00；该发明授权一种光子晶体-等离基元超晶格复合超结构及其制备方法与应用是由黄又举;高佳俊;傅茜茜;张文娟设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光子晶体-等离基元超晶格复合超结构及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光子晶体‑等离基元超晶格复合超结构及其制备方法与应用，属于纳米材料技术领域，方法包括：1将单分散二氧化硅纳米胶粒在介质中自组装形成液态胶体晶，将其涂覆在基材表面，使溶剂挥发形成二氧化硅光子晶体三维阵列；2依次利用巯基聚苯乙烯和1,8‑辛二硫醇修饰金纳米粒子后，在液体界面处使其成膜，得到金纳米超晶格有序二维单层膜；3将金纳米超晶格有序二维单层膜转移至二氧化硅光子晶体三维阵列上，制备得到光子晶体‑等离基元超晶格复合超结构。将其作为SERS基底时，能够充分利用光子晶体光禁带特性与等离激元局域等离子体近场耦合特性，协同增强光与物质的相互作用，提升拉曼增强效果。
本发明授权一种光子晶体-等离基元超晶格复合超结构及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种光子晶体-等离基元超晶格复合超结构的制备方法，其特征在于，包括： 1将粒径为100~400nm的单分散二氧化硅纳米胶粒在介质中自组装形成液态胶体晶，将其涂覆在基材表面，使溶剂挥发形成二氧化硅光子晶体三维阵列； 2制备粒径为10~60nm的金纳米粒子，依次利用巯基聚苯乙烯和1,8-辛二硫醇修饰金纳米粒子后，在液体界面处使其成膜，得到金纳米超晶格有序二维单层膜； 3将金纳米超晶格有序二维单层膜转移至二氧化硅光子晶体三维阵列上，使双层有序结构耦合，制备得到所述的光子晶体-等离基元超晶格复合超结构； 步骤2中，将巯基聚苯乙烯和1,8-辛二硫醇修饰后的金纳米粒子分散在甲苯中，随后将其转移至二乙二醇亚相上，甲苯挥发完全后，在二乙二醇界面上得到金纳米超晶格有序二维单层膜。
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