上海大学杨炯获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种探索半哈斯勒合金本征缺陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626393B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311170898.2，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种探索半哈斯勒合金本征缺陷的方法是由杨炯;马乐飞;席丽丽设计研发完成，并于2023-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种探索半哈斯勒合金本征缺陷的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种探索半哈斯勒合金本征缺陷的方法，涉及热电材料领域，首先在化合物中引入缺陷，再通过通过第一性原理的方法进行理论计算，通过对缺陷的形成能和费米能级的关系的分析，确定主要的本征缺陷，并依此再次进行缺陷浓度、电子结构、缺陷与化学键的关系等性质的理论分析，为热电材料的提供了通过合理控制体系缺陷的手段来实现优化性能的理论指导方向，实现了优化热电性能提供新的认识。
本发明授权一种探索半哈斯勒合金本征缺陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种探索半哈斯勒合金本征缺陷的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、确定半哈斯勒合金的化合物的完美超胞和缺陷超胞； S2、确定所述完美超胞的化学势范围； S3、利用第一性原理软件对所述完美超胞和所述缺陷超胞分别进行理论计算，获得缺陷的形成能； S4、确定所述完美超胞和所述缺陷超胞的费米能级，并分析所述缺陷的形成能与所述费米能级的关系，从中判断出所述化合物中的主要本征缺陷的类型； 所述判断出所述主要本征缺陷的类型的方式为在相同范围的所述费米能级中，所述缺陷的形成能相对较低时所对应的缺陷即为所述化合物中主要本征缺陷类型。
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