买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利具有NiO延伸栅场板的横向增强型氧化镓场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119630028B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411595389.9，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权具有NiO延伸栅场板的横向增强型氧化镓场效应晶体管是由李向楠;魏杰;谭佳蕾;魏雨夕;马昕宇;吴宇鑫;刘继忠;罗小蓉设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有NiO延伸栅场板的横向增强型氧化镓场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有NiO延伸栅场板的横向增强型氧化镓场效应晶体管。本发明的器件正向导通时，延伸栅场板下方的漂移区内形成电子积累层，降低器件导通电阻，弥补了增强型MOSFET比导通电阻大的不足；阻断状态时，延伸栅结构与N型氧化镓漂移区形成类超结结构，调制电场分布，辅助耗尽漂移区，提高器件击穿电压，进一步提高器件外延层掺杂浓度，降低导通电阻。本发明的有益效果为，本发明的器件为增强型器件，兼具低导通电阻和高击穿电压的双重优势，此外，本发明所运用的氧化镍淀积工艺简单，不引入额外的刻蚀工艺，避免了器件漂移区内的刻蚀损伤与氧化镓‑氧化镍间界面问题所引发的提前击穿。

本发明授权具有NiO延伸栅场板的横向增强型氧化镓场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.具有NiO延伸栅场板的横向增强型氧化镓场效应晶体管，沿器件垂直方向，从下到上依次层叠设置有氧化镓衬底1、氧化镓缓冲层2、氧化镓外延层3； 其特征在于，在氧化镓外延层3两侧分别具有漏重掺杂区域4和源重掺杂区域5；所述漏重掺杂区域4的下表面与氧化镓缓冲层2的上表面接触，并且漏重掺杂区域4上表面远离源重掺杂区域5的一端具有漏极金属6；所述源重掺杂区域5的下表面与氧化镓缓冲层2的上表面接触，并且源重掺杂区域5上表面远离漏重掺杂区域4的一端具有源极金属7；在漏极金属6与源极金属7之间的漏重掺杂区域4上表面、氧化镓外延层3上表面和源重掺杂区域5上表面具有栅氧化层8；在栅氧化层8上表面靠近源极金属7一侧具有栅极结构，所述栅极结构由氧化镍条和栅极金属10构成，氧化镍条分别与栅氧化层8和栅极金属10接触，并且氧化镍条沿栅氧化层8上表面向靠近漏极金属6一侧延伸，形成延伸栅场板； 所述栅极结构为平面栅结构，氧化镍条包括低空穴浓度的第一P型氧化镍条91和高空穴浓度的第二P型氧化镍条92，第一P型氧化镍条91位于栅氧化层8上表面，第二P型氧化镍条92位于第一P型氧化镍条91上表面，并且第二P型氧化镍条92靠近源极金属7的一端与第一P型氧化镍条91靠近源极金属7的一端沿垂直方向齐平；栅极金属10位于第二P型氧化镍条92上表面；其中，第二P型氧化镍条92的横向宽度和栅极金属10的横向宽度相等，第二P型氧化镍条92的两端与栅极金属10的两端沿垂直方向完全对齐；第一P型氧化镍条91的横向宽度小于氧化镓外延层3的横向宽度，并且第一P型氧化镍条91的两端与氧化镓外延层3的两端之间具有间距。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。