中国科学技术大学陈广杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一维单原子链阵列、单原子阵列、单光子源、近场耦合天线的制备方法及量子信息存储的实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119650128B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411768610.6，技术领域涉及：G21K1/00；该发明授权一维单原子链阵列、单原子阵列、单光子源、近场耦合天线的制备方法及量子信息存储的实现方法是由陈广杰;王竹博;马东祺;韩正甫;邹长铃设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一维单原子链阵列、单原子阵列、单光子源、近场耦合天线的制备方法及量子信息存储的实现方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种一维单原子链阵列的制备方法，包括：利用磁光阱将由原子源释放出的部分目标原子冷却并囚禁在磁光阱内，以形成冷原子团；利用调制组件对由光束产生组件输出的初始光镊光束进行调制，以输出第一光镊光束阵列；调节第一光镊光束阵列的位置及光功率，以使第一光镊光束阵列的中心与冷原子团的中心保持一致，从而获得单原子阵列；利用光路调节组件输出第二光镊光束阵列，第一光镊光束阵列与第二光镊光束阵列形成驻波式光镊阵列，使得单原子阵列转换为一维单原子链阵列。
本发明授权一维单原子链阵列、单原子阵列、单光子源、近场耦合天线的制备方法及量子信息存储的实现方法在权利要求书中公布了：1.一种一维单原子链阵列的制备方法，包括： 利用磁光阱将由原子源释放出的部分目标原子冷却并囚禁在所述磁光阱内，以形成冷原子团； 利用调制组件对由光束产生组件输出的初始光镊光束进行调制，以输出第一光镊光束阵列； 调节所述第一光镊光束阵列的位置及光功率，以使所述第一光镊光束阵列的中心与所述冷原子团的中心保持一致，从而获得单原子阵列； 利用光路调节组件输出第二光镊光束阵列，所述第一光镊光束阵列与所述第二光镊光束阵列形成驻波式光镊阵列，使得所述单原子阵列转换为一维单原子链阵列； 其中，通过调整所述调制组件发出的调制信号，调制所述第一光镊光束阵列由所述调制组件输出的角度，从而改变所述驻波式光镊阵列中每个驻波式光镊的空间位置，以及改变所述一维单原子链阵列中每个一维单原子链的空间分布； 通过调节所述第一光镊光束阵列与所述第二光镊光束阵列的功率，改变所述一维单原子链阵列中的单原子的数量。
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