西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学董鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利基于异质结空穴超注入的Ga2O3场效应管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411682890.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权基于异质结空穴超注入的Ga2O3场效应管及其制备方法是由董鹏飞;赵江涵;周弘;张进成;张苇杭;刘志宏;叶安琪设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于异质结空穴超注入的Ga2O3场效应管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于异质结空穴超注入的氧化镓场效应晶体管及其制备方法，解决了氧化镓场效应管电流密度小的问题。本发明增设了P型异质结构区，Ga2O3衬底上有Ga2O3外延层沟道，源极金属、P型异质材料区设在Ga2O3外延层沟道上两端；P型异质材料区与Ga2O3外延层沟道形成异质PN结。方法包括预处理；台面刻蚀；源极金属生长；欧姆退火；漏极异质结与电极材料生长；栅极介质的制备与开孔；栅极金属的生长。本发明的P型异质材料与沟道形成异质结，漏极金属与P型异质材料采用自对准工艺；使用p型NiO材料作为p型氧化镓材料替代，利用p‑NiO与n‑Ga2O3空穴超注入效应，提高反向击穿电压并降低正向导通电阻。可用于工作电压大于5V的逆变器等电力电子设备。
本发明授权基于异质结空穴超注入的Ga2O3场效应管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于异质结空穴超注入的Ga2O3场效应管，其结构包括有：Ga2O3衬底、Ga2O3外延层沟道、源极金属、漏极金属、栅极介质、栅极金属，其特征在于，还包括有P型异质结构区；其整体结构为：Ga2O3衬底作为器件的基底，其上设有Ga2O3外延层沟道；源极金属、P型异质材料区分别设置在Ga2O3外延层沟道之上两端，漏极金属设置在P型异质材料区正上方，漏极金属下表面与P型异质结区域的材料形成欧姆接触，栅极介质设置在P型异质材料区与源极金属之间，栅极金属设置在栅极介质上方；P型异质材料区与Ga2O3外延层沟道上表面形成异质PN结，整体构成具有大电流密度的基于异质结空穴超注入的Ga2O3场效应管。
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