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龙图腾网获悉哈尔滨理工大学申请的专利一种使用3D打印制备高致密度SiC陶瓷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119661230B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411862803.8，技术领域涉及：C04B35/577；该发明授权一种使用3D打印制备高致密度SiC陶瓷的方法是由成夙;李银燕;李卓;魏泽旭;樊明星设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种使用3D打印制备高致密度SiC陶瓷的方法在说明书摘要公布了：一种使用3D打印制备高致密度SiC陶瓷的方法，属于增材制造领域。本发明要解决现有采用3D打印技术制造SiC陶瓷试件存在孔隙率高的问题。方法：一、制备复合粉体；二、打印参数设定；三、脱脂；四、浸渍；五、烘干；六、高温烧结。本发明用于使用3D打印制备高致密度SiC陶瓷。

本发明授权一种使用3D打印制备高致密度SiC陶瓷的方法在权利要求书中公布了：1.一种使用3D打印制备高致密度SiC陶瓷的方法，其特征在于它是按以下步骤进行的： 一、制备复合粉体： 按质量份数称取57份~76份大粒径碳化硅粉体、19份~38份小粒径碳化硅粉体和5份~10份粘结剂并混合，得到复合粉体； 且大粒径碳化硅粉体、小粒径碳化硅粉体和粘结剂的总质量份数为100份； 所述的大粒径碳化硅粉体的粒径为80μm~100μm；所述的小粒径碳化硅粉体的粒径为10μm~20μm； 二、打印参数设定： 在分层厚度为0.01mm~0.1mm、填充速度为1000mms~5000mms、轮廓速度为1000mms~3500mms、填充间距为0.01mm~0.4mm、填充功率为5W~25W、轮廓功率为2W~20W、预热温度为30℃~80℃及加工温度为30℃~90℃的条件下，利用复合粉体进行选择性激光烧结3D打印，得到陶瓷初胚； 所述的陶瓷初胚的厚度为0.1mm~0.5mm； 三、脱脂： 将陶瓷初胚进行脱脂处理，得到脱脂后的陶瓷件； 四、浸渍： 将脱脂后的陶瓷件浸渍于纳米氧化铝溶胶浸渗液中浸渍，得到浸渍后的陶瓷件； 所述的浸渍具体是按以下步骤进行：先在室温及真空度为0.06MPa~0.08MPa的条件下，保持20min~25min，然后在室温及压力为0.3MPa~0.4MPa的条件下，加压20min~25min； 五、烘干： 将浸渍后的陶瓷件烘干除去水分，得到烘干后的陶瓷件； 六、高温烧结： 将烘干后的陶瓷件升温至1200℃~1400℃，然后在温度为1200℃~1400℃的条件下保温，最后降至室温，即完成使用3D打印制备高致密度SiC陶瓷的方法。

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