西安电子科技大学马海蛟获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于2T2M差分结构的SOT-MRAM电路单元及其存算阵列电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673239B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411772575.5，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权基于2T2M差分结构的SOT-MRAM电路单元及其存算阵列电路是由马海蛟;何易兴;王钥绮设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于2T2M差分结构的SOT-MRAM电路单元及其存算阵列电路在说明书摘要公布了：本发明涉及非易失性存储器领域，具体涉及一种基于2T2M差分结构的SOT‑MRAM电路单元及其存算阵列电路。所述SOT‑MRAM单元包括第一磁隧道结、第二磁隧道结、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一反相器、第二反相器、写入线、读取线、输入线和输出线，且上述各组成部分具有特定的连接关系。所述SOT‑MRAM电路单元通过特殊的2T2M差分结构设计并结合自旋轨道矩磁隧道结的优秀性能，整体性地提升了2T2MSOT‑MRAM差分电路单元阵列的存储和运算性能和效率，降低对于MTJ本身性能的依赖性，使其具备更优的能效比，更稳定的读写速度和精度，以及优异的可靠性和稳定性。
本发明授权基于2T2M差分结构的SOT-MRAM电路单元及其存算阵列电路在权利要求书中公布了：1.一种基于2T2M差分结构的SOT-MRAM电路单元，其特征在于，该电路单元包括第一磁隧道结、第二磁隧道结、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一反相器、第二反相器、写入线、读取线、输入线和输出线； 所述读取线分别连接所述第一磁隧道结和所述第二磁隧道结的顶电极； 所述写入线通过所述第一反相器分别连接所述第一磁隧道结和所述第二磁隧道结的重金属层的输入端，所述第一反相器用于使所述第一磁隧道结和所述第二磁隧道结的阻态始终保持相反； 所述第一磁隧道结的重金属层的输出端连接所述第一场效应晶体管的源极，所述第二磁隧道结的重金属层的输出端连接所述第二场效应晶体管的源极； 所述输出线分别连接所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的漏极； 所述输入线通过所述第二反相器分别连接所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的栅极，所述第二反相器用于切换所述第一场效应晶体管或所述第二场效应晶体管处于导通状态。
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