买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种基于曲折结构的低通高吸型能量选择表面获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119674553B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411771525.5，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种基于曲折结构的低通高吸型能量选择表面是由俞伟良;杜熠;罗国清;陈宇昌;张晓红设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于曲折结构的低通高吸型能量选择表面在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于曲折结构的低通高吸型能量选择表面，包括多个周期性分布的单元，每个单元从上到下依次包括频选层、介质层、能选层，所述频选层包括第一介质基板以及第一介质基板上、下表面的多个金属曲折结构和电阻，所述能选层包括第二介质基板以及第二介质基板上表面的多个金属块结构和二极管，所述频选层和能选层被介质层所隔开。本发明的能量选择表面和频率选择表面通过介质层阻抗匹配，在低功率电磁波入射时，实现了低插入损耗的低频通带，并在带外形成了较宽的吸收频带；而在高功率电磁波入射时，在工作频段实现了具有较高的屏蔽效能的反射频带，并在带外形成了较宽的吸收频带。本发明整体设计结构原理简单清晰，具备广泛的应用前景。

本发明授权一种基于曲折结构的低通高吸型能量选择表面在权利要求书中公布了：1.一种基于曲折结构的低通高吸型能量选择表面，包括多个周期性分布的单元，其特征在于，每个单元从上到下包括依次连接的频选层、介质层和能选层；所述频选层、介质层和能选层的尺寸大小均与单元大小相同； 所述频选层包括第一介质基板； 所述第一介质基板的上表面设有第一金属曲折结构、第二金属曲折结构、第三金属曲折结构、第四金属曲折结构、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻；所述第一金属曲折结构、第二金属曲折结构、第三金属曲折结构、第四金属曲折结构的结构相同，均包括两条金属边和三条金属线，所述两条金属边垂直设置，所述三条金属线垂直于其中一条金属边向所述第一介质基板的中心延伸；所述第一金属曲折结构的一条金属边通过第一电阻与所述第二金属曲折结构的一条金属边连接，所述第二金属曲折结构的另一条金属边通过第二电阻与所述第三金属曲折结构的一条金属边连接，所述第三金属曲折结构的另一条金属边通过第三电阻与所述第四金属曲折结构的一条金属边连接，所述第四金属曲折结构的另一条金属边通过第四电阻与所述第一金属曲折结构的另一条金属边连接； 所述第一介质基板的下表面设有第五金属曲折结构、第六金属曲折结构、第七金属曲折结构、第八金属曲折结构、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻；所述第五金属曲折结构、第六金属曲折结构、第七金属曲折结构、第八金属曲折结构的结构相同，均呈连续“弓”字形，所述第五金属曲折结构的一端通过第五电阻与所述第六金属曲折结构的一端连接，所述第六金属曲折结构的另一端通过第六电阻与所述第七金属曲折结构的一端连接，所述第七金属曲折结构的另一端通过第七电阻与所述第八金属曲折结构的一端连接，所述第八金属曲折结构的另一端通过第八电阻与所述第五金属曲折结构的另一端连接； 所述能选层包括第二介质基板以及位于其上表面的第一金属块结构、第二金属块结构、第三金属块结构、第四金属块结构、第五金属块结构、第六金属块结构、第七金属块结构、第一二极管、第二二极管，第三二极管、第四二极管，第五二极管、第六二极管，第七二极管、第八二极管；所述能选层中： 所述第一金属块结构的一端通过第一二极管和第二二极管分别连接至所述第二金属块结构的一端和所述第三金属块结构的一端，所述第二金属块结构的另一端和所述第三金属块结构的另一端通过第三二极管和第四二极管分别连接至所述第七金属块结构的一端； 所述第四金属块结构的一端通过第五二极管和第六二极管分别连接至所述第五金属块结构的一端和所述第六金属块结构的一端，所述第二金属块结构的另一端和所述第三金属块结构的另一端通过第三二极管和第四二极管分别连接至所述第七金属块结构的一端；所述第七金属块结构的一角设有一矩形缺口。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州电子科技大学，其通讯地址为：310018 浙江省杭州市钱塘区白杨街道2号大街1158号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。