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龙图腾网获悉上海芯元基半导体科技有限公司申请的专利LED芯片结构的制备方法及LED芯片结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677269B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411873259.7，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权LED芯片结构的制备方法及LED芯片结构是由陈朋;郝茂盛;袁根如;张楠;杨磊;魏帅帅;马后永;马艳红;徐志伟;黄良斌设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本LED芯片结构的制备方法及LED芯片结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LED芯片结构的制备方法及LED芯片结构，包括：提供LED外延片；在LED外延层进行像素隔离；形成电极引出结构，顶面高于第一半导体层；底面接触像素单元的电极引出位置；在电极引出结构上键合第一临时基板；将衬底剥离；基于LED芯片单元区域，对LED外延层和第一临时基板进行切割，切割为多个分离的LED芯片单元；提供第二临时基板，材质与驱动基板的材质相同；LED芯片单元键合到第二临时基板上；去除第一临时基板。本发明的技术方案，实现了Dietowafer，然后wafertowafer键合，两基板材质相同，避免了键合过程中由于热膨胀差异造成的偏移；且减少了Die的浪费，提高了性能。

本发明授权LED芯片结构的制备方法及LED芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供LED外延片；所述LED外延片包括：衬底以及位于所述衬底上的LED外延层；所述LED外延层包括自下而上依次分布的第一半导体层、量子阱结构和第二半导体层； 在所述LED外延层中形成隔离沟槽，所述隔离沟槽将所述LED外延层隔离为若干个像素单元；所述LED外延层包括多个LED芯片单元区域，每个所述LED芯片单元区域中包括至少一所述像素单元； 所述像素隔离后，在所述LED外延层一侧形成电极引出结构，所述电极引出结构的顶面高于所述第二半导体层；所述电极引出结构的底面接触所述像素单元的电极引出位置；所述电极引出结构包括：正电极引出结构、负电极引出结构，每一待工作的所述像素单元对应一所述正电极引出结构；每一所述LED芯片单元区域内包括至少一所述负电极引出结构； 制备所述电极引出结构后，在所述电极引出结构上键合第一临时基板； 键合所述第一临时基板后，将所述衬底剥离； 基于所述LED芯片单元区域，对所述LED外延层和所述第一临时基板进行切割，切割为多个分离的LED芯片单元； 提供第二临时基板，所述第二临时基板的材质与驱动基板的材质相同； 所述LED芯片单元以所述第一临时基板朝上的方式键合到所述第二临时基板上；所述LED芯片单元在所述第二临时基板上的位置与驱动芯片在所述驱动基板上的位置一一对应； 将所述LED芯片单元键合到所述第二临时基板上后，去除所述第一临时基板。

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