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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于非线性高阶拓扑绝缘体的可调谐电路谐振器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119696534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411753557.2，技术领域涉及：H03H7/12；该发明授权基于非线性高阶拓扑绝缘体的可调谐电路谐振器是由李汝江;王文才;孔祥雨;刘英;贾永涛设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于非线性高阶拓扑绝缘体的可调谐电路谐振器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于非线性高阶拓扑绝缘体的可调谐电路谐振器，包括：耦合电感L1、耦合电感L2、耦合电容C1、耦合电容C2、第一子单元和第二子单元；多个耦合电感L1、耦合电感L2、耦合电容C1、耦合电容C2、第一子单元和第二子单元呈周期性排布，构成可调谐电路谐振器；耦合电容C1的容值小于耦合电容C2的容值，耦合电感L1的感值大于耦合电感L2的感值。基于四极矩拓扑绝缘体模型进行可调谐电路谐振器的结构构建，实现了电路谐振器的可调性，适应了不断变化的工作条件；利用模型拓扑角态的鲁棒性，提高了可调谐电路谐振器的鲁棒性，且对电路元件误差具有一定的容忍度；进一步降低了可调谐电路谐振器的制造成本。

本发明授权基于非线性高阶拓扑绝缘体的可调谐电路谐振器在权利要求书中公布了：1.一种基于非线性高阶拓扑绝缘体的可调谐电路谐振器，其特征在于，包括：耦合电感L1、耦合电感L2、耦合电容C1、耦合电容C2、第一子单元和第二子单元； 多个所述耦合电感L1、所述耦合电感L2、所述耦合电容C1、所述耦合电容C2、所述第一子单元和所述第二子单元呈周期性排布，构成所述可调谐电路谐振器；所述第一子单元包括：电感Lg1、电容CA1、电容CA2、共阴极变容二极管Cv1以及共阴极变容二极管Cv2； 所述电感Lg1的第一端、所述电容CA1的第一端、所述电容CA2的第一端、所述共阴极变容二极管Cv1的第一端以及所述共阴极变容二极管Cv2的第一端相互连接，形成所述第一子单元的输出接口； 所述电感Lg1的第二端、所述电容CA1的第二端、所述电容CA2的第二端、所述共阴极变容二极管Cv1的第二端以及所述共阴极变容二极管Cv2的第二端相互连接，并接地； 所述第二子单元包括：电感Lg2、电感LB1、电感LB2、共阴极变容二极管Cv3以及共阴极变容二极管Cv4； 所述电感Lg2的第一端、所述电感LB1的第一端、所述电感LB2的第一端、所述共阴极变容二极管Cv3的第一端以及所述共阴极变容二极管Cv4的第一端相互连接，形成所述第二子单元的输出接口； 所述电感Lg2的第二端、所述电感LB1的第二端、所述电感LB2的第二端、所述共阴极变容二极管Cv3的第二端以及所述共阴极变容二极管Cv4的第二端相互连接，并接地； 所述耦合电容C1的容值小于所述耦合电容C2的容值，所述耦合电感L1的感值大于所述耦合电感L2的感值，且该所述可调谐电路谐振器的结构排布基于凝聚态物理学中四极矩拓扑绝缘体模型建立。

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