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龙图腾网获悉清华大学申请的专利微机械开关的制备方法及微机械开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119706735B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411754104.1，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权微机械开关的制备方法及微机械开关是由王喆垚设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本微机械开关的制备方法及微机械开关在说明书摘要公布了：本申请提供了一种微机械开关的制备方法和微机械开关，微机械开关的制备方法包括提供第一衬底，在第一衬底的一侧制备第一电极层。提供第二衬底，在第二衬底的一侧制备第一子保护层，在第一子保护层远离第二衬底的一侧制备单晶硅层。在单晶硅层远离衬底一侧制备第二子保护层。在第二子保护层远离第二衬底的一侧制备第二电极层。对第一子保护层、第二子保护层及第二衬底进行刻蚀形成开关结构。第二驱动电极及第二极在第二衬底上的正投影位于开关结构层在第二衬底上的正投影内，开关结构远离第二极的一端与第二衬底连接，另一端悬空。将第二衬底设有所述第二电极层的一侧与所述第一衬底设有所述第一电极层的一侧键合。

本发明授权微机械开关的制备方法及微机械开关在权利要求书中公布了：1.一种微机械开关的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供第一衬底； 在所述第一衬底的一侧制备第一电极层，对所述第一电极层进行剥离形成第一驱动电极和与所述第一驱动电极间隔设置的第一极； 提供第二衬底； 在所述第二衬底的一侧制备第一子保护层，在所述第一子保护层远离所述第二衬底的一侧制备单晶硅层；对所述单晶硅层刻蚀形成单晶硅梁；在所述单晶硅层远离所述第二衬底一侧制备第二子保护层，所述第二子保护层在所述第二衬底上的正投影覆盖所述单晶硅梁在所述第二衬底上的正投影； 在所述第二子保护层远离所述第二衬底的一侧制备第二电极层；对所述第二电极层进行剥离形成第二驱动电极和与所述第二驱动电极间隔设置的第二极； 对所述第一子保护层、所述第二子保护层及所述第二衬底进行刻蚀形成开关结构；所述开关结构包括单晶硅梁和由包覆所述单晶硅梁的第一子保护层和第二子保护层组成的保护层；所述第二驱动电极及所述第二极在所述第二衬底上的正投影位于所述开关结构在所述第二衬底上的正投影内；所述开关结构远离所述第二极的一端与所述第二衬底连接，另一端悬空； 将所述第二衬底设有所述第二电极层的一侧与所述第一衬底设有所述第一电极层的一侧键合，使所述第一驱动电极在所述第一衬底上的正投影与所述第二驱动电极在所述第一衬底上的正投影存在交叠，以及使所述第一极在所述第一衬底上的正投影与所述第二极在所述第一衬底上的正投影存在交叠。

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