中国科学院半导体研究所卢树弟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利无外腔近红外钙钛矿激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119726347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410919781.8，技术领域涉及：H01S3/16；该发明授权无外腔近红外钙钛矿激光器及其制备方法是由卢树弟;王智杰;刘孔;岳世忠;曲胜春;马靖腾;林润康;董克前设计研发完成，并于2024-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本无外腔近红外钙钛矿激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种无外腔近红外钙钛矿激光器及其制备方法。无外腔近红外钙钛矿激光器的制备方法包括：在衬底上滴加钙钛矿前驱体溶液；在衬底上覆盖柔性薄膜，使钙钛矿前驱体溶液均匀分布于衬底和柔性薄膜之间；将衬底静置处理后，移除柔性薄膜，得到钙钛矿增益介质层，其中，柔性薄膜用于诱导钙钛矿前驱体溶液在形成钙钛矿增益介质层的过程中生长出微晶结构，微晶结构为钙钛矿增益介质层的谐振腔。本发明提供的制备方法无需加热或热退火等高温处理，制备工艺简单，成本低，能够实现无外加谐振腔的近红外钙钛矿激光器的大面积制备，并且通过调控钙钛矿增益材料组分以及制备工艺参数，可以实现对激光器的发射峰的调节。
本发明授权无外腔近红外钙钛矿激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种无外腔近红外钙钛矿激光器的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上滴加钙钛矿前驱体溶液； 在所述衬底上覆盖柔性薄膜，使所述钙钛矿前驱体溶液均匀分布于所述衬底和所述柔性薄膜之间； 将所述衬底静置处理后，移除所述柔性薄膜，得到钙钛矿增益介质层， 其中，所述柔性薄膜用于诱导所述钙钛矿前驱体溶液在形成所述钙钛矿增益介质层的过程中生长出微晶结构，所述微晶结构为所述钙钛矿增益介质层的谐振腔。
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