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中国科学院半导体研究所卢树弟获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利近红外钙钛矿激光器及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119726348B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410919782.2,技术领域涉及:H01S3/16;该发明授权近红外钙钛矿激光器及其制备方法是由卢树弟;王智杰;刘孔;岳世忠;曲胜春;马靖腾;林润康;董克前设计研发完成,并于2024-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

近红外钙钛矿激光器及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种近红外钙钛矿激光器及其制备方法。近红外钙钛矿激光器包括:衬底;钙钛矿增益介质层,置于衬底上,钙钛矿增益介质层上形成有微晶结构,微晶结构为钙钛矿增益介质层的谐振腔。本发明提供的近红外钙钛矿激光器无需采用外加谐振腔,即可在室温下实现光泵浦下的激射,大大简化了器件结构,提高了激光器的可集成性;通过组分和制备工艺的调控,可以实现激射峰的调节,且调节精度高,可满足多个波长的使用需求;可以采用全溶液法制备,工艺简单,成本低廉。

本发明授权近红外钙钛矿激光器及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种近红外钙钛矿激光器,其特征在于,包括: 衬底; 钙钛矿增益介质层,置于所述衬底上,所述钙钛矿增益介质层上形成有微晶结构,所述微晶结构为所述钙钛矿增益介质层的谐振腔;以及 隔离层,置于所述钙钛矿增益介质层上,且覆盖所述微晶结构; 其中,所述微晶结构包括多个微晶单元,所述多个微晶单元彼此分离,所述微晶单元的形状包括树叶形或星形,所述钙钛矿增益介质层的组分包括A'yA1-ySnI3,所述近红外钙钛矿激光器的激发波长与所述钙钛矿增益介质层的组分中A'的材料、A的材料及y的取值有关,A'和A为两种不同的有机阳离子,A'的尺寸大于A,y的取值范围为0~1。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院半导体研究所,其通讯地址为:100083 北京市海淀区清华东路甲35号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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