深圳平湖实验室苏芳获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利晶体管及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411783358.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权晶体管及其制备方法、电子设备是由苏芳;李炜鸿;李茜云;曾威;万玉喜设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种晶体管及其制备方法、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决保护器件自毁速度慢的问题。该晶体管包括：半导体层、源极、漏极、第一阱区、第二阱区、栅极结构和第一掺杂部。源极和漏极分别位于半导体层沿第一方向的两侧。第一阱区与第二阱区间隔设置，且均由半导体层远离漏极的表面延伸至半导体层的内部，第一阱区和第二阱区内具有第一掺杂离子。栅极结构位于半导体层远离漏极的一侧。第一掺杂部具有第二掺杂离子，包括相连的第一子部和第二子部；在第一方向上，栅极结构遮蔽第一子部和第一阱区，栅极结构暴露至少部分第二子部，第二子部与源极连接。通过上述设置，有利于晶体管局部过热从而快速自毁。
本发明授权晶体管及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，包括： 半导体层； 源极和漏极，分别位于所述半导体层沿第一方向的两侧； 第一阱区和第二阱区，所述第一阱区与所述第二阱区间隔设置，且均由所述半导体层远离所述漏极的表面延伸至所述半导体层的内部，所述第一阱区和所述第二阱区内具有第一掺杂离子； 栅极结构，位于所述半导体层远离所述漏极的一侧； 第一掺杂部，具有第二掺杂离子，包括相连的第一子部和第二子部，所述第一子部位于第一阱区内，所述第二子部位于第二阱区内；所述第一子部在所述第一方向上的投影位于所述栅极结构在所述第一方向上的投影以内；所述第二子部在所述第一方向上的投影与所述栅极结构在所述第一方向上的投影部分交叠； 其中，所述第一方向平行于所述半导体层的厚度方向。
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