广东工业大学楚春双获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种日盲紫外探测器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730461B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411927431.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种日盲紫外探测器及其制备方法和应用是由楚春双;张紫辉;田康凯;黄福平;王龙宇设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种日盲紫外探测器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种日盲紫外探测器及其制备方法和应用，属于半导体光电探测器技术领域。制备方法包括如下步骤：在衬底表面上依次外延生长GaN缓冲层、AlGaN插入层和GaN传输层；刻蚀GaN传输层的上表面，得到凹槽；在凹槽中沉积第一绝缘层；在GaN传输层和第一绝缘层上外延生长Ga2O3吸收层，使Ga2O3吸收层覆盖第一绝缘层；刻蚀部分Ga2O3吸收层至暴露出部分GaN传输层的上表面；在暴露出部分GaN传输层的上表面设置阳极电极；在Ga2O3吸收层的上表面制作出金属层和阴极电极，使得阴极电极和Ga2O3吸收层的上表面直接接触。本发明解决了氧化镓作为吸收层导致光生空穴在其中积累从而降低光电流的问题。
本发明授权一种日盲紫外探测器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1.在衬底101表面上依次外延生长GaN缓冲层102、AlGaN插入层103和GaN传输层104； S2.刻蚀所述GaN传输层104的上表面，得到凹槽； S3.在所述凹槽中沉积第一绝缘层105； S4.在所述GaN传输层104和所述第一绝缘层105上外延生长Ga2O3吸收层106，使所述Ga2O3吸收层106覆盖所述第一绝缘层105； S5.刻蚀部分所述Ga2O3吸收层106至暴露出部分所述GaN传输层104的上表面； S6.在暴露出部分所述GaN传输层104的上表面设置阳极电极109；在所述Ga2O3吸收层106的上表面制作出金属层107和阴极电极108，使得所述阴极电极108和所述Ga2O3吸收层106的上表面直接接触。
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