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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利带有发射区垂直屏蔽阱的SiC光控双极型功率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767866B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411791563.7，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权带有发射区垂直屏蔽阱的SiC光控双极型功率晶体管是由元磊;芦禹衡;刘洋;贾仁需;张艺蒙;张玉明设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本带有发射区垂直屏蔽阱的SiC光控双极型功率晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带有发射区垂直屏蔽阱的SiC光控双极型功率晶体管，包括：由下向上依次层叠的发射极金属、n型衬底、n型发射区、n型承压区，及在n型承压区的顶层区域内间隔分布的多个隔离阱，在n型承压区整个表面设置的n型屏蔽层，设置于n型屏蔽层表面中心区域的p型基区，位于p型基区上方的n型集电区，位于n型集电区表面中心区域的集电极金属，及表层周围的SiO2氧化层；n型衬底采用4H‑SiC材料；隔离阱和n型屏蔽层呈本征态；SiO2氧化层设置于p型基区表面上除集电极金属的区域，并设置于p型基区和n型集电区外侧，与n型屏蔽层表面接触。本发明能提高功率晶体管的抗高压能力，控制关断的能力更好，电路设计更简单。

本发明授权带有发射区垂直屏蔽阱的SiC光控双极型功率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种带有发射区垂直屏蔽阱的SiC光控双极型功率晶体管，其特征在于，包括： 由下向上依次层叠的发射极金属8、n型衬底1、n型发射区2、n型承压区3，以及在所述n型承压区3的顶层区域内间隔分布的多个隔离阱4，在所述n型承压区3整个表面上设置的n型屏蔽层5，设置于所述n型屏蔽层5表面中心区域的p型基区6，位于所述p型基区6上方的n型集电区7，位于所述n型集电区7表面中心区域的集电极金属9，以及表层周围的SiO2氧化层10，其中，n型衬底1采用4H-SiC材料；隔离阱4和n型屏蔽层5呈本征态；所述SiO2氧化层10设置于所述p型基区6表面上除集电极金属9的区域，并设置于所述p型基区6和所述n型集电区7的外侧，与所述n型屏蔽层5的表面接触； 其中，多个隔离阱4的结深为5μm~10μm，相邻距离范围为5μm~10μm，掺杂元素为Al，掺杂浓度范围为5e16cm-3~1e17cm-3；所述n型屏蔽层5的厚度为2μm~8μm，掺杂浓度范围为5e16cm-3~1e17cm-3；所述p型基区6的厚度为0.5μm~3μm，掺杂元素为Al，掺杂浓度范围为5e15cm-3~5e16cm-3；所述n型集电区7的厚度为0.3μm~0.5μm，掺杂元素为N，掺杂浓度范围为8e17cm-3~2e18cm-3。

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