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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种三维存储器结构及其集成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815830B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411932425.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种三维存储器结构及其集成方法是由黄芊芊;王凯枫;黄如设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维存储器结构及其集成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种三维存储器结构及其集成方法，属于半导体技术领域。本发明存储器结构由多个单元结构自下而上堆叠组成，每个单元结构包括一种环栅低功耗双向导通器件作为存储器的写入管和一种环沟道高性能器件作为存储器的读出管，写入管的源端同时作为读出管的栅端，实现写入管和读出管在水平方向上的连接；本发明存储器结构同时实现保持时间长、读出速度快、功耗低等优势，且在有限的面积内实现多层存储单元的堆叠，增加存储密度；本发明方法使得存储结构中的多个重复性单元结构共用光刻、刻蚀、离子注入、退火等工艺步骤，显著降低了存储结构中每比特存储信息的工艺成本。

本发明授权一种三维存储器结构及其集成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器结构的集成方法，其特征在于，具体步骤包括： 步骤1：在衬底上淀积多层牺牲层材料和写入沟道层材料，具体方法为淀积一层牺牲层材料，然后淀积一层写入沟道层材料，然后重复淀积牺牲层材料和写入沟道层材料，且最后淀积的材料为牺牲层材料，写入沟道层的层数即为上述存储器结构中单元结构的重复次数； 步骤2：定义有源区，具体方法为用光刻的方式图形化有源区，然后刻蚀有源区外的牺牲层材料和写入沟道层材料，形成有源区； 步骤3：形成有源区隔离，具体方法为淀积隔离层材料，然后用光刻的方式图形化存储阵列区域，然后刻蚀存储阵列外多余的隔离层材料，然后用化学机械抛光CMP的方式进行平坦化； 步骤4：形成侧墙隔离，具体方法为用光刻的方式图形化侧墙区域，然后刻蚀侧墙区域的牺牲层材料和隔离层材料，然后淀积侧墙层材料，然后用CMP的方式平坦化，然后用光刻的方式图形化存储阵列区域，然后刻蚀存储阵列外多余的侧墙层材料； 步骤5：形成写入管栅端，具体方法为用光刻的方式图形化写入管栅和栅之间的区域，然后刻蚀写入管栅之间的隔离层，然后淀积侧墙层材料，然后用CMP的方式平坦化，然后用光刻的方式图形化写入管栅之间的区域，然后刻蚀写入管栅之间多余的侧墙层材料，然后采用标准的polySi-SiO2工艺或HKMG工艺制备栅叠层，然后去除光刻胶和多余材料； 步骤6：形成源漏半导体层，具体方法为用光刻的方式图形化写入管的漏区，然后刻蚀漏区内的牺牲层材料，然后通过离子注入的方式形成P型半导体层，然后通过光刻的方式图形化写入管的源区，然后刻蚀写入管源区内的牺牲层材料，然后通过离子注入的方式形成N型半导体层； 步骤7：形成源漏接触，具体方法为用光刻的方式图形化写入管的源和漏，然后刻蚀写入管源之间区域内的隔离层材料和写入管漏之间区域内的隔离层材料，然后淀积侧墙层材料，然后用CMP的方式平坦化，然后用光刻的方式图形化写入管的源和漏，然后刻蚀写入管源之间区域内和漏之间区域内多余的侧墙层材料，然后淀积接触前金属，然后用退火的方式让接触前金属与半导体反应生成金属硅化物作为接触金属，然后去除未反应的接触前金属，然后用退火的方式激活杂质； 步骤8：形成读出管区域，具体方法为用光刻的方式图形化读出管区域，然后刻蚀写入管源上、位于读出管区域外的多余的接触金属，形成读出管区域； 步骤9：形成读出管栅介质，具体方法为用光刻的方式图形化读出管区域，然后淀积栅介质层材料，然后去除光刻胶和多余材料； 步骤10：形成读出管沟道层，具体方法为用光刻的方式图形化读出管区域，然后形成读出管沟道层材料，然后去除光刻胶和多余材料； 步骤11：形成读出管独立沟道区域，具体方法为用光刻的方式图形化读出管沟道区域，然后刻蚀读出管沟道区域外的读出管沟道层材料，去除多个读出管的互连区域； 步骤12：形成读出管侧墙，具体方法为淀积侧墙层材料，然后用光刻的方式图形化读出管侧墙区域，然后刻蚀侧墙区域外的侧墙层材料，形成读出管侧墙； 步骤13：形成读出管源漏金属接触，具体方法为用光刻的方式图形化读出管沟道区域，然后形成接触金属，然后去除光刻胶和多余材料，然后退火； 步骤14：形成RWL，具体方法为用光刻的方式图形化RWL区域，然后淀积源漏金属，然后去除光刻胶和多余金属； 步骤15：形成WBL和RBL区域，具体方法为淀积侧墙层材料，然后用CMP的方式平坦化，然后用光刻的方式图形化WBL和RBL区域，然后刻蚀WBL和RBL区域内的牺牲层材料； 步骤16：形成RBL和WBL金属接触，具体方法为淀积接触前金属，然后用退火的方式让接触前金属与半导体反应，然后去除未反应的接触前金属，然后退火，在RBL区域和WBL区域中形成的金属硅化物即可作为RBL和WBL金属接触。

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