昆明理工大学张家洪获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利反射式高灵敏度电场传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119827854B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510030125.7，技术领域涉及：G01R29/12；该发明授权反射式高灵敏度电场传感器是由张家洪;刘保勇;张晶设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本反射式高灵敏度电场传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及及光学电场传感器技术领域，尤其涉及反射式高灵敏度电场传感器，包括封装外壳、输入保偏光纤准直器、起偏器、14波片、第一铌酸锂晶体、反射镜及输出单模光纤准直器，所述输入保偏光纤准直器设置在输入端封装腔体内，且输入保偏光纤准直器的一端设置有起偏器、14波片、第一铌酸锂晶体及反射镜；输入端封装腔体内部还设置有第二铌酸锂晶体、检偏器及输出单模光纤准直器，且输出单模光纤准直器设置在输出端封装腔体内部；所述第一铌酸锂晶体与第二铌酸锂晶体主轴相互正交设置；所述起偏器与检偏器的透振方向相互垂直设置；本发明采用x轴通光、z向加电场的铌酸锂晶体，利用其最大电光系数γ33从而提升灵敏度。
本发明授权反射式高灵敏度电场传感器在权利要求书中公布了：1.反射式高灵敏度电场传感器，包括封装外壳1、输入保偏光纤准直器3、起偏器4、14波片5、第一铌酸锂晶体6、反射镜7及输出单模光纤准直器10，其特征是，所述输入保偏光纤准直器3设置在输入端封装腔体2内，且输入保偏光纤准直器3的一端设置有起偏器4、14波片5、第一铌酸锂晶体6及反射镜7； 输入端封装腔体2内部还设置有第二铌酸锂晶体8、检偏器9及输出单模光纤准直器10，且输出单模光纤准直器10设置在输出端封装腔体11内部； 所述第一铌酸锂晶体6与第二铌酸锂晶体8主轴相互正交设置； 所述起偏器4与检偏器9的透振方向相互垂直设置； 所述输入保偏光纤准直器3的输出端面与起偏器4、14波片5、第一铌酸锂晶体6、反射镜7、第二铌酸锂晶体8、检偏器9的通光面平行，输出单模光纤准直器10的输入端面亦与之平行，以此保障光传输的高效性； 所述输入端封装腔体2与输出端封装腔体11均固定在封装外壳1内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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