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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于兼容型温度传感器的晶闸管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835955B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411916526.4，技术领域涉及：H10D18/00；该发明授权一种基于兼容型温度传感器的晶闸管及其制备方法是由元磊;霍达;汤晓燕;贾仁需;张玉明设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于兼容型温度传感器的晶闸管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于兼容型温度传感器的晶闸管及其制备方法，包括：衬底、缓冲层、漂移层、基区、兼容型传感器、多个电极阵列和阴极。本发明采用了半导体器件作为兼容型温度传感器，半导体器件制成的兼容型温度传感器具有高线性度和灵敏度的优点；将兼容型温度传感器集成在晶闸管内部，提高了功率器件的集成度，使得晶闸管测温系统更加紧凑、高效。该技术能够实时监测晶闸管内部温度，确保测量结果的准确性和实时性，为晶闸管电力电子系统的稳定运行提供了有力保障。在集成了兼容型温度传感器后，晶闸管的基本工作特性并未受到影响，依然保持着优异的性能和可靠性。并且采用晶闸管终端作为隔离区域实现了工艺兼容，节约了工艺步骤。

本发明授权一种基于兼容型温度传感器的晶闸管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于兼容型温度传感器的晶闸管，其特征在于，包括： 衬底1、缓冲层2、漂移层3、基区4、兼容型温度传感器5、多个电极阵列6、阴极7和终端8；其中， 所述衬底1、所述缓冲层2、所述漂移层3和所述基区4由下至上依次设置；所述漂移层3和所述基区4构成的结构中具有两个凹槽，凹槽的深度超过基区的厚度，且未超过漂移层的厚度；所述终端8设置于凹槽下方的漂移层内； 所述兼容型温度传感器5设置于两个凹槽之间；所述兼容型温度传感器5为利用终端8作为自身的隔离区域的PiN温度传感器；所述兼容型传感器5包括：隔离区域51、i区52、P区53和N区54；所述隔离区域51由终端8和终端8之间的漂移层部分区域构成；所述i区52由终端8之间的漂移层部分区域上表面的基区部分区域构成；所述P区53设置于所述i区52一端的上表面；所述N区54设置于所述i区52另一端的顶层区域内； 所述电极阵列6对称设置于所述兼容型传感器5两侧的基区4上； 所述阴极7设置于所述衬底1的下表面。

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