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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于离子注入型温度传感器的晶闸管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835956B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411916539.1，技术领域涉及：H10D18/00；该发明授权一种基于离子注入型温度传感器的晶闸管及其制备方法是由元磊;霍达;汤晓燕;贾仁需;张玉明设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于离子注入型温度传感器的晶闸管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于离子注入型温度传感器的晶闸管及其制备方法，在晶闸管中，衬底、缓冲层、漂移层和基区由下至上依次设置；PiN温度传感器通过离子注入设置于基区内；PiN温度传感器为P型掺杂和N型掺杂的具有隔离区域的横向PiN温度传感器；门电极设置于基区的两端；阳极层设置于基区的上表面，PiN温度传感器和门电极之间的区域；阳极设置于阳极层的上表面；阴极设置于衬底的下表面。本发明采用半导体器件作为温度传感器，具有高线性度和灵敏度的优点；将温度传感器集成至晶闸管的内部，大幅提高了晶闸管的集成度，将温度传感器与晶闸管进行结合，使得晶闸管测温系统更加紧凑、高效。

本发明授权一种基于离子注入型温度传感器的晶闸管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于离子注入型温度传感器的晶闸管，其特征在于，包括： 衬底1、缓冲层2、漂移层3、基区4、PiN温度传感器5、门电极6、阳极层7、阳极8和阴极9；其中， 所述衬底1、所述缓冲层2、所述漂移层3和所述基区4由下至上依次设置； 所述PiN温度传感器5通过离子注入设置于所述基区4内；所述PiN温度传感器5为具有隔离区域的横向PiN温度传感器；所述PiN温度传感器5包括：P型隔离区51、N型i区52、P区53、N区54、传感器阳极55、传感器阴极56和隔离电极57；其中，所述P型隔离区51通过离子注入形成，形状为凹字状；所述N型i区52通过离子注入形成，设置于所述P型隔离区51的凹槽内；所述P区53设置于所述N型i区52内靠近所述P型隔离区51一端的位置；所述N区54设置于所述N型i区52内靠近所述P型隔离区51另一端的位置；所述传感器阳极55设置于所述P区53的上表面；所述传感器阴极56设置于所述N区54的上表面；所述隔离电极57设置于所述P型隔离区51的两端； 所述门电极6设置于所述基区4的两端； 所述阳极层7设置于所述基区4的上表面，所述PiN温度传感器5和所述门电极6之间的区域； 所述阳极8设置于所述阳极层7的上表面； 所述阴极9设置于所述衬底1的下表面。

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