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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种基于物理模型的预测阻变器件温度特性方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119851739B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411909568.5，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权一种基于物理模型的预测阻变器件温度特性方法是由刘力锋;管浩凯;周正;黄鹏;孙雷设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于物理模型的预测阻变器件温度特性方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于物理模型的预测阻变器件温度特性方法。首先，根据阻变器件不同电阻态的温度测试曲线，结合多种物理机制，构建温度特性、器件电导以及导电细丝形貌之间的关系；然后根据以上关系，提出了一种通用的物理模型表达式。该模型在较大范围的给定温度区间内，对于所有的存储状态，均能够较好地预测器件的电导变化，为后续的仿真或校正工作提供指导。

本发明授权一种基于物理模型的预测阻变器件温度特性方法在权利要求书中公布了：1.一种基于物理模型的预测阻变器温度特性的方法，所采用的阻变器件物理模型是将阻变器件介质层中的导电细丝分成三个区域：第一区域为导电细丝头部区域，第二区域为导电细丝尾部区域的中心部分，第三区域为导电细丝尾部区域的外围部分；阻变器件的等效电路为第二区域电阻与第三区域电阻并联，再串联第一区域的电阻，则阻变器件的预测电导如式1所示： 其中，为阻变器件在温度T下的预测电导，G0为阻变器件在基准温度T0下的电导，Rbulk为第一区域的电阻，Rnano为第二区域的电阻，RPF为第三区域的电阻； 其中，第一区域的电阻如下式2所示： 其中，ρbulk为第一区域的电阻率，tCF导电细丝头部的高度，SCF为第一区域等效的横截面积，A为电阻率温度系数； 第二区域的电阻如下式3所示： 其中，ρnano为第二区域的电阻率，tgap为导电细丝尾部的高度，S1为第二区域等效的横截面积； 第三区域的电阻RPF为其电导GPF的倒数，GPF如下式4所示： 其中，σ0、β0为物理常数，V为外加的读取电压，为势垒高度，S2为第三区域等效的横截面积，k为波尔茨曼常数； 当阻变器件在状态切换时，第一区域的体积变化很小；将第二和第三区域看作一个整体，当器件电导增大时，体现为该整体的横截面积增大，同时第二区域的占比增大，相应第三区域的占比减少，这些关系近似如下表示： Seff＝αG0-ε S2＝pSeff S1＝1-pSeff p＝γG0 其中，Seff为第二和第三区域整体等效的横截面积，G0为阻变器件在基准温度T0下的电导， α为比例系数，ε的设置则是考虑到其他贡献电导的区域或机制；p表示第三区域的占比，γ为比例系数； 对于上述公式中的参数，ρbulk、ρnano、tCF、tgap、SCF、T0、k、V、β0为已知的参数，A、σ0、α、ε、γ由实验测试的温度特性曲线提取得到，设定电导G0和温度T，即可得到该条件下的阻变器件的电导预测值

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