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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利半导体光频梳激光器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852844B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510021502.0，技术领域涉及：H01S5/065；该发明授权半导体光频梳激光器及制备方法是由王泽宇;郑婉华;王海玲;孙光亮;陈宁宁;宣浩东设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体光频梳激光器及制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体光频梳激光器及制备方法，涉及半导体激光器技术领域。半导体光频梳激光器包括：至少一个第一脊条区域和至少一个第二脊条区域；在第一脊条区域的数量和第二脊条区域的数量之和大于或等于3的情况下，第一脊条区域和第二脊条区域交替耦合串联；每个第二脊条区域的宽度小于每个第一脊条区域的宽度；其中，至少一个第一脊条区域，用于为光束提供增益；至少一个第二脊条区域，用于抑制经增益的光束中的高阶模式；以及通过控制每个第二脊条区域中增益介质的载流子浓度来调控增益介质的非线性作用，以产生频率调制锁模光频梳。

本发明授权半导体光频梳激光器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体光频梳激光器，其特征在于，包括： 至少一个第一脊条区域和至少一个第二脊条区域； 在所述第一脊条区域的数量和所述第二脊条区域的数量之和大于或等于3的情况下，所述第一脊条区域和所述第二脊条区域交替耦合串联；每个所述第二脊条区域的宽度小于每个所述第一脊条区域的宽度； 其中，所述至少一个第一脊条区域，用于为光束提供增益； 所述至少一个第二脊条区域，用于抑制经增益的所述光束中的高阶模式；以及 通过控制每个所述第二脊条区域中增益介质的载流子浓度来调控所述增益介质的非线性作用，以产生频率调制锁模光频梳； 所述调控所述增益介质的非线性作用，包括： 通过控制所述至少一个第二脊条区域中增益介质的载流子浓度以激发空间烧孔效应产生多纵模；以及 激发所述至少一个第二脊条区域产生四波混频效应来调控所述多纵模之间的频率间隔； 单电极，所述至少一个第一脊条区域和所述至少一个第二脊条区域共用所述单电极； 其中，通过控制注入所述单电极的正电流大于阈值，使所述至少一个第二脊条区域的增益介质发生光饱和作用来调控所述增益介质的非线性作用。

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