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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855196B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411978018.9，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种功率半导体器件是由乔明;王胜铎;叶元庆;刘根;马鼎翔;王嘉伟;张波设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种功率半导体器件，具体是涉及一种低压领域的横向功率半导体器件。通过在功率半导体器件中引入沟槽栅TrenchGate结构，该结构能延展沟道宽度的同时，还可以起到辅助耗尽漂移区，降低器件导通损耗的作用。当今随着功率器件尺寸的逐渐缩小，器件性能的逐渐提升，低压领域的小尺寸器件发展受限最为明显。基于此背景，本发明采用沟槽栅与平面栅组合的设计方案，在确保器件尺寸不增加的前提下，提供了包括电压等级扩展、沟槽应力技术、屏蔽栅ShieldGateTrench结构在内的不同低导通损耗和低开关损耗的功率半导体结构，使得低压功率半导体器件的性能进一步提升。

本发明授权一种功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于：设定：A-A’横截面为从第一导电类型接触区105指向第二导电类型漏区107且经过平面栅电极109的截面；B-B’横截面为从第一导电类型接触区105指向第二导电类型漏区107且经过沟槽栅电极110的截面；C-C’纵截面为平面栅电极109和沟槽栅电极110交替排列区域的截面； 沿B-B’横截面，包括第一导电类型衬底101，在第一导电类型衬底101上设置有第一导电类型埋层102，第一导电类型埋层102上方设置有第一导电类型体区103和第二导电类型漂移区104；第一导电类型体区103内部上方设置有第一导电类型接触区105、第二导电类型源区106、第二导电类型源区延伸区114和沟槽区；其中第一导电类型接触区105位于第二导电类型源区106左方，第二导电类型源区延伸区114位于第二导电类型源区106下方，沟槽区位于第二导电类型源区106和第二导电类型源区延伸区114右方，且部分沟槽结构位于第二导电类型漂移区104中；其中沟槽区的底部深度等于或小于第二导电类型源区延伸区114的深度； 所述沟槽区自下而上设置有沟槽栅氧化层111和沟槽栅电极110，沟槽栅电极110分别与第二导电类型源区106、第二导电类型源区延伸区114、第一导电类型体区103以及第二导电类型漂移区104之间设置有沟槽栅氧化层111； 第二导电类型漂移区104内部右上方设置有第二导电类型漏区107； 沿C-C’纵截面，在第一导电类型体区103上方和第二导电类型漂移区104部分上方设置有平面栅氧化层108，平面栅氧化层108正上方设置有平面栅电极109；平面栅电极109和沟槽栅电极110沿C-C’纵截面呈交替式排列，并且平面栅电极109和沟槽栅电极110相连接，沟槽栅氧化层111和平面栅氧化层108相连接。

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