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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种采用回收晶界扩散钕铁硼制备磁体的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119870480B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510124257.6，技术领域涉及：B22F9/04；该发明授权一种采用回收晶界扩散钕铁硼制备磁体的方法是由吴琼;诸葛祥恒;东书汉;刘卫强;岳明设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用回收晶界扩散钕铁硼制备磁体的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种采用回收晶界扩散钕铁硼制备磁体的方法，所述方法包括如下步骤：1废晶界扩散钕铁硼磁体经退磁处理，然后对退磁处理后的磁体进行去镀层处理；所述去镀层处理的方法为喷砂；2去镀层处理后的磁体经破碎、氢碎与气流磨，得到气流磨粉；3混合稀土合金粉与所述气流磨粉，然后进行取向成型、冷等静压、烧结以及回火热处理，得到再生钕铁硼磁体。本发明提供的方法采用喷砂的方式进行去镀层处理，使晶界扩散钕铁硼磁体的核壳结构不受破坏且稀土损失小，稀土合金粉的使用达到强化再生钕铁硼磁体的核壳结构、改善烧结过程中液相流动性、优化晶界并使再生钕铁硼磁体具有优异磁性能的目的。

本发明授权一种采用回收晶界扩散钕铁硼制备磁体的方法在权利要求书中公布了：1.一种采用回收晶界扩散钕铁硼制备磁体的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 1废晶界扩散钕铁硼磁体经退磁处理，然后对退磁处理后的磁体进行去镀层处理； 所述退磁处理包括：抽真空保持绝对压力≤1×10-2Pa，以不高于10℃min的升温速率升温至400℃-440℃，保温1.5h-2.5h，然后在氩气气氛中风冷至室温； 所述去镀层处理的方法为喷砂； 所述喷砂的喷砂压力为0.4MPa-0.8MPa、喷砂距离为100mm-300mm且喷砂角度为45°-90°； 2去镀层处理后的磁体经破碎、氢碎与气流磨，得到平均粒径为3μm-4μm气流磨粉； 所述氢碎包括：在温度为150℃-300℃、氢压为0.05MPa-0.1MPa的条件下吸氢3h-5h，吸氢饱和后，在绝对压力≤1×10-3Pa、温度为500℃-600℃的条件下脱氢4h-6h；脱氢后过筛； 3混合气流磨粉与平均粒径为2.5μm-4μm的稀土合金粉，然后进行取向成型、冷等静压、烧结以及回火热处理，在氩气气氛下风冷至室温，得到再生钕铁硼磁体；所述稀土合金粉的材质包括Pr70Cu30、Pr70Al30、Pr70Al10Cu20、Nd70Cu30或Nd70Al30中的任意一种或至少两种的组合；以步骤3所述稀土合金粉与所述气流磨粉的总质量百分比为100wt%计，所述气流磨粉的质量百分数≥95wt%； 所述烧结在绝对压力≤10-3Pa的条件下进行，烧结的温度为1000℃-1070℃，时间为3h-6h； 所述回火热处理包括在绝对压力≤10-3Pa的条件下依次进行的一级回火热处理与二级回火热处理；所述一级回火热处理的温度为820℃-920℃，时间为3h-5h；所述二级回火热处理的温度为420℃-520℃，时间为4h-6h。

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