广州增芯科技有限公司张亚南获国家专利权
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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利MEMS空腔结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119873730B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411972990.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权MEMS空腔结构的制备方法是由张亚南设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本MEMS空腔结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MEMS空腔结构的制备方法，该方法包括：提供一SOI晶圆，SOI晶圆包括从下往上依次层叠的底硅层、埋氧层以及顶硅层，在底硅层的第一表面的边缘预设位置形成重掺杂区，在顶硅层的第一表面的与重掺杂区以内部分的正对的位置形成MEMS器件区，从底硅层的第二表面开始对底硅层进行刻蚀，刻蚀停止在埋氧层与重掺杂区，以形成凹槽结构，将第一晶圆键合至底硅层的第二表面，形成MEMS空腔结构，其中，底硅层的第二表面与其第一表面相对。本发明在底硅层的第一表面的边缘区形成重掺杂区，在对底硅层进行刻蚀时会自动停止在重掺杂区，因而，该重掺杂区可以作为形成MEMS器件区和MEMS空腔结构的对齐标记，从而提高了MEMS空腔结构与MEMS器件区的对准精度。
本发明授权MEMS空腔结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS空腔结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一SOI晶圆，所述SOI晶圆包括从下往上依次层叠的底硅层、埋氧层以及顶硅层，并在所述顶硅层的第一表面形成氧化层； 在所述底硅层的第一表面的边缘预设位置通过高能离子注入形成重掺杂区；其中，位于所述重掺杂区以内的所述底硅层的第一表面的部分为第一区域； 在所述顶硅层的第一表面的第二区域形成MEMS器件区；其中，所述第二区域与所述第一区域上下正对，且所述第一区域的范围大于所述第二区域的范围； 在所述底硅层的第二表面形成凹槽结构，所述凹槽结构贯穿所述底硅层至所述埋氧层，所述凹槽结构与所述第一区域相对应；其中，所述底硅层的第二表面与其第一表面相对； 提供第一晶圆，将所述第一晶圆键合至所述底硅层的第二表面，形成MEMS空腔结构。
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