浙江大学杭州国际科创中心余学功获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种合成二氧化硅中氯离子杂质的深度去除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119873846B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510260950.6，技术领域涉及：C01B33/18；该发明授权一种合成二氧化硅中氯离子杂质的深度去除方法是由余学功;刘纯;王坤;杨德仁设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种合成二氧化硅中氯离子杂质的深度去除方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种合成二氧化硅中氯离子杂质的深度去除方法，包括：对SiO2凝胶进行一次或反复多次的加水‑超声分散形成溶胶‑负压旋蒸至凝胶的操作，得到洗涤后的SiO2凝胶；洗涤后的SiO2凝胶减压干燥，得到SiO2颗粒；取粒径0.2～0.45微米的SiO2颗粒于300～600℃煅烧除氯。本发明具有工艺简单、易操作、低成本和无污染等优点，且极大的降低了SiO2干燥过程对设备的腐蚀。经本发明方法得到的合成SiO2中氯含量最低值可达17.05ppm，满足多种领域应用。
本发明授权一种合成二氧化硅中氯离子杂质的深度去除方法在权利要求书中公布了：1.一种合成二氧化硅中氯离子杂质的深度去除方法，其特征在于，包括： 对SiO2凝胶进行一次或反复多次的加水-超声分散形成溶胶-负压旋蒸至凝胶的操作，得到洗涤后的SiO2凝胶； 洗涤后的SiO2凝胶减压干燥，得到SiO2颗粒； 取粒径0.35~0.45微米的SiO2颗粒于400℃煅烧除氯；煅烧过程中SiO2颗粒的铺设密度为0.035~0.04gcm2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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