西安电子科技大学胡彦飞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利有限元与MBVD模型联合的FBAR滤波器仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119886045B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411953036.1，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权有限元与MBVD模型联合的FBAR滤波器仿真方法是由胡彦飞;刘绍宇;王家一;张宝睿设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本有限元与MBVD模型联合的FBAR滤波器仿真方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有限元与MBVD模型联合的FBAR滤波器仿真方法，包括：S1、构建谐振器三维有限元模型；其中，该模型上电极层和下电极层为形状相同的电极层，电极层的形状为五边形；S2、对谐振器三维有限元模型进行仿真，得到阻抗‑频率特性曲线；S3、根据阻抗‑频率特性曲线和滤波器设计目标，调整上电极层的厚度，得到目标谐振器三维有限元模型；S4、建立对应的MBVD模型，并得到第一S参数曲线；S5、当第一S参数曲线满足设计目标时，建立滤波器三维有限元模型；若不满足，则返回S3。本发明能够准确地反映电极厚度、形状以及寄生振动对谐振频率的影响，能够有效抑制寄生振动模式，具有较高的设计效率、仿真精度和灵活性。
本发明授权有限元与MBVD模型联合的FBAR滤波器仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种有限元与MBVD模型联合的FBAR滤波器仿真方法，其特征在于，所述方法包括： S1、构建谐振器三维有限元模型；其中，所述谐振器三维有限元模型包括自上而下依次排列的上电极层、压电层、下电极层、支撑层和衬底层；所述上电极层和所述下电极层为形状相同的电极层，所述电极层的形状为五边形； S2、对所述谐振器三维有限元模型进行仿真，得到所述谐振器三维有限元模型的阻抗-频率特性曲线； S3、根据所述阻抗-频率特性曲线和滤波器设计目标，调整所述上电极层的厚度，得到目标谐振器三维有限元模型； S4、建立所述目标谐振器三维有限元模型的MBVD模型，并根据所述MBVD模型得到第一S参数曲线； S5、当所述第一S参数曲线满足所述设计目标时，根据所述目标谐振器三维有限元模型建立滤波器三维有限元模型；若不满足，则返回S3，直至所述第一S参数曲线满足所述滤波器设计目标。
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