新存科技(武汉)有限责任公司彭文林获国家专利权
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龙图腾网获悉新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利存储单元及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119889385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411937507.X，技术领域涉及：G11C11/34；该发明授权存储单元及其操作方法是由彭文林设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元及其操作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种存储单元及其操作方法，该存储单元包括衬底、位于衬底上的第一电极和第二电极、存储层和半导体插层。第二电极位于第一电极远离衬底的一侧，第一电极和第二电极之间用于施加偏压。存储层位于第一电极和第二电极之间且与第一电极接触，存储层的材料包括带正电的第一粒子。半导体插层位于第二电极与存储层之间，半导体插层为P型且与存储层接触。在读操作的电场作用下该P型半导体插层的自由空穴移出，从而在半导体插层内产生带负电的杂质中心。该杂质中心与第二电极相邻可以抑制第一粒子向存储层中靠近第一电极的部分移动，因此可以尽量保持原本第一粒子的分布状态，从而尽量维持阈值电压的稳定，提升器件抗读干扰的能力。
本发明授权存储单元及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上的第一电极和第二电极，所述第二电极位于所述第一电极远离所述衬底的一侧，所述第一电极和第二电极之间用于施加偏压； 位于所述第一电极和第二电极之间的存储层，所述存储层与所述第一电极接触，所述存储层的材料包括第一粒子，所述第一粒子带正电； 位于所述第二电极与所述存储层之间的半导体插层，所述半导体插层为P型，所述半导体插层与所述存储层接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼534(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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