深圳华中科技大学研究院高亮获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳华中科技大学研究院申请的专利一种PbS量子点探测器及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510028748.0，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种PbS量子点探测器及其制备工艺是由高亮;邓城洁;唐江;张建兵;刘婧;陈龙设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种PbS量子点探测器及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PbS量子点探测器及其制备方法，包括以下步骤：在底电极层上使用溶胶‑凝胶法制备NiO薄膜；并在NiO表面涂覆EDT溶液，形成EDT薄膜；将S‑‑‑1‑2‑萘基乙基溴化铅铵S1‑2NPB溶解于第一溶液中，然后加入至PbS溶液中，形成第一混合溶液；将第一混合溶液旋涂在EDT薄膜上，形成初始薄膜；使用IBr溶液对初始薄膜进行配体交换，形成PbS薄膜；在PbS量子点薄膜上真空蒸C60作为电子传输层；使用旋涂法在电子传输层上沉积SnO2纳米颗粒，形成强n型层；使用热蒸发法在强n型层沉积Au电极，形成顶电极层。本发明实施例所述的PbS量子点探测器能显著降低暗电流，提高器件的光电响应性能和信噪比。
本发明授权一种PbS量子点探测器及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种PbS量子点探测器制备工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1：在底电极层上使用溶胶-凝胶法制备NiO薄膜；并在NiO表面涂覆1，3-乙二硫醇EDT溶液，形成EDT薄膜； S2：将S---1-2-萘基乙基溴化铅铵S1-2NPB溶解于第一溶液中，然后加入至PbS溶液中，形成第一混合溶液；将第一混合溶液旋涂在EDT薄膜上，形成初始薄膜；使用IBr溶液对初始薄膜进行配体交换，形成PbS薄膜； S3：在PbS量子点薄膜上真空蒸C60作为电子传输层； S4：使用旋涂法在电子传输层上沉积SnO2纳米颗粒，形成强n型层； S5：使用热蒸发法在强n型层沉积Au电极，形成顶电极层。
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