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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种Micro-LED晶圆键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119923054B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510058721.6，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权一种Micro-LED晶圆键合方法是由张建华;殷录桥;嵇啸啸;李炳均设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro-LED晶圆键合方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Micro‑LED晶圆键合方法，属于显示技术领域，包括以下步骤：步骤1：准备外延片和驱动基板，外延片包括衬底层和像素层；步骤2：在像素层上蒸镀金属层作为p电极，驱动基板上蒸镀键合层；步骤3：金属层与键合层键合，剥离衬底层；步骤4：刻蚀Micro‑LED像素；步骤5：蒸镀金属Ti，通过光电化学刻蚀对Micro‑LED像素的侧壁进行修复；步骤6：去除金属Ti，蒸镀第一钝化层；步骤7：开设第一通孔；步骤8：刻蚀掉键合层中的金属材质；步骤9：蒸镀第二钝化层；步骤10：蒸镀互联层，互联层与驱动基板互联作为n电极。利用光电化学刻蚀对Micro‑LED像素侧壁进行修复和修正，可避免全程采用干法刻蚀方法会可能出现的深度控制难、过度损伤、不均匀性以及热损伤等问题。

本发明授权一种Micro-LED晶圆键合方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：准备外延片和驱动基板，外延片包括衬底层和像素层，所述像素层包括P极面和N极面，所述N极面与所述衬底层贴合，所述N极面背离所述衬底层； 步骤2：在所述像素层的P极面上蒸镀金属层作为p电极，在所述驱动基板上蒸镀键合层，所述键合层包括找平区和用于与所述金属层电连接的键合区，所述键合区排布在所述找平区内，所述找平区和所述键合区中至少所述键合区采用金属材质； 步骤3：将所述金属层与所述键合层进行键合，然后剥离所述衬底层； 步骤4：通过干法刻蚀，在所述像素层上刻蚀出独立的Micro-LED像素； 步骤5：在所述Micro-LED像素的N极面上蒸镀金属Ti作硬掩模，通过光电化学刻蚀对所述Micro-LED像素的侧壁进行修复； 步骤6：去除金属Ti，蒸镀第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述Micro-LED像素和所述金属层； 步骤7：在所述Micro-LED像素之间区域处的第一钝化层上开设第一通孔； 步骤8：通过干法刻蚀，刻蚀掉所述键合层中的金属材质； 步骤9：蒸镀第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述第一通孔，对所述Micro-LED像素的N极面上的所述第二钝化层上开设第二通孔； 步骤10：蒸镀互联层，所述互联层覆盖所述第二钝化层和所述第二通孔，所述互联层与所述驱动基板互联作为n电极。

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