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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种基于金属陶瓷复合阻隔层的方钴矿热电材料/电极高热稳定焊接方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119952173B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510269104.0，技术领域涉及：B23K1/008；该发明授权一种基于金属陶瓷复合阻隔层的方钴矿热电材料/电极高热稳定焊接方法是由孙湛;高明宇;张丽霞;常青;张博;高铭;王悦;郭俊设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于金属陶瓷复合阻隔层的方钴矿热电材料/电极高热稳定焊接方法在说明书摘要公布了：一种基于金属陶瓷复合阻隔层的方钴矿热电材料电极高热稳定焊接方法，涉及一种用于方钴矿基热电材料与金属电极的连接方法。为了解决方钴矿与金属电极之间存在剧烈的元素扩散，使得其强度和界面电阻增大，进而焊接接头强度低和服役寿命降低的问题。本发明以金属陶瓷复合相作为扩散阻隔层的连接强度高，接头电阻低，长期服役下反应层厚度增长缓慢，因此保持良好的力学性能与使用性能。本发明可以通过选择不同的难熔金属和陶瓷调控整体阻隔层的组成和比例，可以通过控制焊接温度及保温时间可以控制界面反应层的种类、厚度及分布方式，进而控制焊接接头的强度及热电输运性能。

本发明授权一种基于金属陶瓷复合阻隔层的方钴矿热电材料/电极高热稳定焊接方法在权利要求书中公布了：1.一种基于金属陶瓷复合阻隔层的方钴矿热电材料电极高热稳定焊接方法，其特征在于：基于金属陶瓷复合阻隔层的方钴矿热电材料电极高热稳定焊接方法按照以下步骤进行： 一、首先将方钴矿热电材料与阻隔层进行热压烧结，得到预置阻隔层的方钴矿；预置阻隔层的方钴矿中阻隔层的表面为待焊接面，将预置阻隔层的方钴矿的待焊接面和金属电极的待焊接面分别进行预处理；最后将处理后的预置阻隔层的方钴矿和金属电极在无氧或惰性气氛下保存； 所述预置阻隔层的方钴矿的制备方法为：在石墨模具中平铺一层方钴矿粉末，然后在方钴矿粉末上铺一层金属陶瓷复合阻隔层粉末，最后进行热压烧结； 所述热压烧结的工艺为：在真空环境下，施加的压力为40-70MPa，以10-20℃min的速率升温到650-760℃并保温5-30min，再以20-50℃min的速度冷却至室温； 所述金属陶瓷复合阻隔层粉末由难熔金属粉末和陶瓷粉末混合而成；难熔金属粉末为Mo、V、Zr、Nb、Ta、Re、Ti的一种或几种；陶瓷粉末为MxSiy、MxNy、MxOy的一种或几种，其中M为Ti、Zr、Mg、Al、K、Ca、Zn、Mn中的一种或几种；金属陶瓷复合阻隔层粉末中难熔金属粉末的摩尔百分比为60％-90％； 二、将预置阻隔层的方钴矿和金属电极装配，预置阻隔层的方钴矿的待焊接面朝向金属电极的待焊接面，预置阻隔层的方钴矿的待焊接面和电极的待焊接面之间放置钎料，得到待焊件，最后进行焊接；所述焊接的工艺为：在真空度为5×10-3Pa以下的真空钎焊炉中，以10-20℃min的速率升温到600-700℃并保温5-30min，然后10-50℃min的速度降温至室温。

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