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龙图腾网获悉湖南静芯半导体科技有限公司申请的专利具有NBL分段的双向可控硅静电防护器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967833B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510095280.7，技术领域涉及：H10D18/80；该发明授权具有NBL分段的双向可控硅静电防护器件结构及其制作方法是由杨健;张科;董鹏;黄昭;李忠设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有NBL分段的双向可控硅静电防护器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种NBL分段的双向可控硅静电防护器件结构，包括衬底P‑Sub；衬底P‑Sub中设有第一至第五NBL区；NBL区上方设有高压N型低掺杂NWHT区；NWHT区中设有第一和第二高压P型低掺杂PWHT区；第一PWHT区上方设有第一PW区；第二PWHT区上方设有第二PW区；第一PW区和第二PW区中间设有第一NW区；第一PW区中从左至右依次设有第一P+区、第一N+区、第二P+区；第一NW区中从左至右依次设有第二N+区、第三N+区；第二PW区中从左至右依次设有第三P+区、第四N+区、第四P+区。本发明构成了一种NBL分段的双向可控硅结构，通过对NWHT区下方的NBL进行分段，拉长了纵向寄生NPN三极管的电流路径，增加了可控硅路径上的寄生电阻和电压降，从而达到提高器件维持电压的目的。

本发明授权具有NBL分段的双向可控硅静电防护器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有NBL分段的双向可控硅静电防护器件结构，其特征在于，包括： 衬底P-Sub；所述衬底P-Sub中设有第一NBL区、第二NBL区、第三NBL区、第四NBL区和第五NBL区；NBL区上方设有NWHT区； 所述NWHT区中从左至右依次设有第一PWHT区、第二PWHT区，在所述第一PWHT区和所述第二PWHT区上方，从左至右依次设有第一PW区、第一NW区、第二PW区，在所述第一PW区、所述第一NW区及所述第二PW区上方，从左至右依次设有第一场氧隔离区、第一P+注入区、第二场氧隔离区、第一N+注入区、第三场氧隔离区、第二P+注入区、第四场氧隔离区、第二N+注入区、第五场氧隔离区、第三N+注入区、第六场氧隔离区、第三P+注入区、第七场氧隔离区、第四N+注入区、第八场氧隔离区、第四P+注入区、第九场氧隔离区； 所述第一P+注入区、所述第一N+注入区和所述第二P+注入区设在第一PW区中；所述第二N+注入区和所述第三N+注入区设在第一NW区中；所述第三P+注入区、所述第四N+注入区和所述第四P+注入区设在第二PW区中； 所述第一P+注入区与所述第一N+注入区相连作为器件的阴极； 所述第四P+注入区与所述第四N+注入区相连作为器件的阳极。

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