厦门纬达树脂有限公司蔡轩获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门纬达树脂有限公司申请的专利一种电子元件封装用树脂及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119978722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510249511.5，技术领域涉及：C08L63/00；该发明授权一种电子元件封装用树脂及其制备方法是由蔡轩;陈昆旸;刘秋霞设计研发完成，并于2025-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电子元件封装用树脂及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电子元件封装用树脂及其制备方法，属于高分子材料技术领域，树脂原料包括环氧树脂、有机硅预聚物、聚酰胺酸溶液、改性核壳结构填料、聚二甲基硅氧烷醇‑甲基硅烷醇‑硅酸酯交联聚合物和硅烷偶联剂等成分。本发明树脂基体采用有机硅‑环氧‑聚酰亚胺‑交联聚合物四元互穿网络，功能填料采用特殊改性的核壳异质结构功能填料，通过新型复合体系与分步可控工艺实现性能突破，具有良好的填充性、导热性、稳定性，能够实现电子元件的良好封装，使用寿命长。
本发明授权一种电子元件封装用树脂及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电子元件封装用树脂，其特征在于，树脂包括以下质量份数的原料：40份～50份环氧树脂、20份～30份有机硅预聚物、10份～20份聚酰胺酸溶液、15份～20份改性核壳结构填料、1份～2份聚二甲基硅氧烷醇-甲基硅烷醇-硅酸酯交联聚合物和1.5份～3份硅烷偶联剂； 所述有机硅预聚物为Sylgard184的A组分主剂部分；所述有机硅预聚物为含乙烯基和Si-OH的有机硅预聚物，乙烯基含量为5wt%～8wt%，Si-OH含量为3wt%～5wt%； 所述改性核壳结构填料为核壳结构填料的表面采用γ-氨丙基三乙氧基硅烷和全氟辛基三乙氧基硅烷进行表面修饰改性得到；所述核壳结构填料的内核为银纳米线；所述核壳结构填料的外壳为氮化硼； 所述聚二甲基硅氧烷醇-甲基硅烷醇-硅酸酯交联聚合物的型号为RGT20623。
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