中国科学院大连化学物理研究所陈创获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种复合离子源离子迁移管获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120072618B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311609121.1,技术领域涉及:H01J49/10;该发明授权一种复合离子源离子迁移管是由陈创;李海洋设计研发完成,并于2023-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复合离子源离子迁移管在说明书摘要公布了:本发明公开一种复合离子源离子迁移管。离子迁移管同时设置光电离源和低气压平面自持放电离子源,且内腔室的工作气压降低至~0.3bar。一方面,降低离子迁移管内腔室的工作气压,可有效抑制水汽光吸收、化学竞争电离等因素对目标样品单光子电离过程的影响,促进样品离子M+的生成;另一方面,低气压平面自持放电可以覆盖离子迁移管内腔室的整个径向截面,其产生的水合氢正离子H2On·H+会与未被紫外光电离的样品分子进一步反应,生成质子化样品离子M·H+,既能提高样品离子化效率,实现目标样品的灵敏检测,还能提供一种全新的样品特征离子峰,实现目标样品的准确识别。
本发明授权一种复合离子源离子迁移管在权利要求书中公布了:1.一种复合离子源离子迁移管,所述离子迁移管为圆环状电极6与圆环状绝缘体7自左至右依次交替同轴叠合构成的中空圆柱状腔体,于腔体左端设置有左端板电极,腔体右端设置有右端板电极,左、右端板电极分别经圆环状绝缘体7与圆柱状腔体左右两开口端密封连接,构成密闭的圆筒状腔室;在腔体内部于左、右端板电极之间设置有离子门3,将腔体内部分成左右两个区域,且每个区域包括2个以上的环状电极6,其中,左端板电极和离子门3之间构成电离区2,离子门3和右端板电极之间构成迁移区4;于左端板电极上设置有离子源1,于腔体内的右端板电极上设置有离子接收极5,其特征在于: 于左端板电极上设置样品气入口8和出气口10,于右端板电极上设置漂气入口9,样品气入口8、漂气入口9和出气口10分别与离子迁移管内腔室连通,一路漂气经漂气入口9进入迁移区4内部,经离子门3流入电离区2,与经样品气入口8进入电离区2的样品气混合后,经出气口10流出离子迁移管,出气口10与真空泵抽气口相连接,控制离子迁移管内腔室气压于1bar至0.1bar之间变化; 离子源1为能够发射80~150nm任一波长紫外光的任意光源,光源出光口发射的紫外光沿离子迁移管轴线进入电离区2内腔,被经样品气入口8进入电离区2的样品分子吸收并发生单光子电离,生成带正电荷的样品分子离子M+; 电离区2内紧邻离子源1右侧的第一环状电极6-1和靠近第一环状电极6-1右侧的第二环状电极6-2构成放电对电极,于第一环状电极6-1与第二环状电极6-2的中部通孔处分别设置有目数为20~80目圆片状金属栅网,两个金属栅网的圆平面与离子迁移管轴线垂直,两个金属栅网圆平面的间距为1~3mm; 当离子迁移管内腔室气压降低为0.1~0.3bar,调节第一环状电极6-1和第二环状电极6-2之间的电势差大于1000V即可发生低气压平面自持放电,构成离子迁移管的第二离子源。
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