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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利具有包含氮化铝单晶的阻挡层的半导体结构及其生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129271B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510620651.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权具有包含氮化铝单晶的阻挡层的半导体结构及其生长方法是由汪连山;吴义针;孙文红;麻胜恒;陈福鑫设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有包含氮化铝单晶的阻挡层的半导体结构及其生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了具有包含氮化铝单晶的阻挡层的半导体结构及其生长方法，属于半导体技术领域，包括：依次叠层设置的衬底、缓冲层、GaN沟道层和氮化铝单晶阻挡层；异质结包括GaN沟道层和氮化铝单晶阻挡层；氮化铝单晶阻挡层内设置有周期性堆叠的AlN超薄量子阱，AlN超薄量子阱距离栅极的第一垂直距离与距离GaN沟道层的第二垂直距离之间的比例关系符合量子力学隧穿效应与半导体极化场理论；AlN超薄量子阱包括多个量子阱单元，每个量子阱单元包括叠层设置的AlN薄层和Al0.5Ga0.5N薄层，AlN超薄量子阱的堆叠周期小于5；GaN沟道层中形成二维电子气。

本发明授权具有包含氮化铝单晶的阻挡层的半导体结构及其生长方法在权利要求书中公布了：1.具有包含氮化铝单晶的阻挡层的半导体结构，其特征在于，包括：衬底、缓冲层、异质结、源极、栅极和漏极； 所述异质结包括GaN沟道层和氮化铝单晶阻挡层； 所述衬底、所述缓冲层、所述GaN沟道层和所述氮化铝单晶阻挡层依次叠层设置； 所述源极和所述漏极均与所述GaN沟道层接触设置； 所述栅极与所述氮化铝单晶阻挡层接触设置； 所述氮化铝单晶阻挡层内设置有周期性堆叠的AlN超薄量子阱，所述AlN超薄量子阱距离所述栅极的第一垂直距离与距离所述GaN沟道层的第二垂直距离之间的比例关系符合量子力学隧穿效应与半导体极化场理论； 所述AlN超薄量子阱包括多个量子阱单元，每个量子阱单元包括叠层设置的AlN薄层和Al0.5Ga0.5N薄层，所述AlN超薄量子阱的堆叠周期小于5； 在所述异质结的极化效应下，所述GaN沟道层中形成有用于提供导电通道的二维电子气； AlN薄层厚度与Al0.5Ga0.5N薄层厚度之间的比例关系为5:3； 所述栅极为T型栅极； 所述T型栅极与所述氮化铝单晶阻挡层之间设置有矩形氮化铝覆盖层，其中，所述矩形氮化铝覆盖层的厚度小于所述第一垂直距离，所述矩形氮化铝覆盖层的宽度和长度与栅跟相同。

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