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龙图腾网获悉无锡鑫巨宏智能科技股份有限公司申请的专利一种低方阻高透光率ITO镀膜及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120158711B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510400712.0，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种低方阻高透光率ITO镀膜及制备方法是由杨惠尹;陈彪;王凡;李晓贤设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低方阻高透光率ITO镀膜及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及ITO镀膜材料技术领域，提供了一种低方阻高透光率ITO镀膜及其制备方法，制备方法包括：S1、制备掺钇氧化锆衬底；S2、将掺钇氧化锆衬底进行表面活化；S3、放入射频磁控溅射腔室中进行磁控溅射，在掺钇氧化锆衬底表面形成一层ITO薄膜；S4、进行退火处理和梯度冷却处理。本发明通过制备的掺钇氧化锆衬底优化ITO镀膜的外延生长，并结合磁控溅射、退火及梯度冷却工艺，优化了薄膜的微观结构，且提高了载流子迁移率及薄膜均匀性、稳定性，减少了ITO镀膜中的晶界缺陷和载流子散射损失，实现了ITO镀膜的低方阻与高透光率协同提升，所得ITO镀膜在高性能光电子器件及透明导电膜等领域具有重要应用价值。

本发明授权一种低方阻高透光率ITO镀膜及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低方阻高透光率ITO镀膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、制备均方根粗糙度为0.2～0.5nm的掺钇氧化锆衬底； 所述掺钇氧化锆衬底中，掺钇氧化锆的200晶向垂直于掺钇氧化锆衬底表面；氧化钇在掺钇氧化锆衬底中的掺入量为4～8at.％； S2、将掺钇氧化锆衬底进行表面活化； S3、将表面活化后的掺钇氧化锆衬底放入射频磁控溅射腔室中进行磁控溅射，在掺钇氧化锆衬底表面形成一层ITO薄膜； 所述磁控溅射的工艺参数包括：以氩气与氧气的混合气体作为工作气体，其中氧气与氩气的体积流量比为20～40：40～60，总工作压力为3.0～5.0mTorr，采用ITO靶材，ITO靶材中SnO2的含量为8.5～9.5wt％，靶材的功率密度为8.5～11.5Wcm2，衬底偏压为-100～-150V，衬底温度为255～295℃，衬底旋转速率为5～10rpm，沉积速率为3.0～5.0nmmin，沉积时间为35～55min，等离子体密度为1×1010～5×1010cm-3，膜厚均匀性偏差≤±3％； S4、然后进行退火处理和梯度冷却处理，获得所述低方阻高透光率ITO镀膜； 所述退火处理的工艺参数包括：持续通入氢气和氮气的混合气体，氢气的体积流量占混合气体体积流量的3.5～4.5％，退火炉内压力为1～5Torr，升温速率为6～9℃min，恒温温度为420～540℃，恒温时间为40～50min，恒温期间温度波动≤±2℃； 所述梯度冷却处理的工艺参数包括：第一阶段以3～4℃min的速率从退火温度冷却至200～230℃，第二阶段以1～2℃min的速率冷却至室温，全程维持氮气保护气氛且氧含量≤1ppm。

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