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龙图腾网获悉中国科学院近代物理研究所申请的专利薄壁真空室加工方法和弧型分叉薄壁真空室获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120244488B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510735858.0，技术领域涉及：B23P15/00；该发明授权薄壁真空室加工方法和弧型分叉薄壁真空室是由焦纪强;蒙峻;李长春;杨建成;阮爽;万亚鹏;魏宁斐;朱小荣;姚鹏设计研发完成，并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄壁真空室加工方法和弧型分叉薄壁真空室在说明书摘要公布了：本发明涉及真空腔体加工技术领域，尤其涉及一种薄壁真空室加工方法和弧型分叉薄壁真空室，薄壁真空室加工方法包括：对薄壁管进行加工处理；将薄壁管与模具固定；先对薄壁管进行空烧处理，然后再放入真空钎焊炉进行真空钎焊；将薄壁管与超高真空法兰组焊。弧型分叉薄壁真空室包括真空室主体，真空室主体包括：第一真空室，构成真空室主体长度方向上的一部分，第一真空室的首端作为真空室主体的其中一端，设置有其中一个超高真空法兰；第二真空室和第三真空室，分别连接于第一真空室的末端，第二真空室和第三真空室共同构成真空室主体长度方向上的其余部分，第二真空室和第三真空室的末端共同设置有另一个超高真空法兰。

本发明授权薄壁真空室加工方法和弧型分叉薄壁真空室在权利要求书中公布了：1.一种弧型分叉薄壁真空室，其特征在于， 所述弧型分叉薄壁真空室包括真空室主体，整体呈弧形，所述真空室主体的两端分别设置有超高真空法兰； 所述真空室主体包括： 第一真空室，构成所述真空室主体长度方向上的一部分，所述第一真空室的首端作为所述真空室主体的其中一端，设置有其中一个所述超高真空法兰； 第二真空室和第三真空室，分别连接于所述第一真空室的末端，所述第二真空室和所述第三真空室共同构成所述真空室主体长度方向上的其余部分，所述第二真空室和所述第三真空室的末端共同设置有另一个所述超高真空法兰； 所述第一真空室、所述第二真空室和所述第三真空室的截面均为矩形； 所述第一真空室和所述第三真空室沿着长度方向的截面均保持一致； 所述第二真空室的截面沿着长度方向呈喇叭形，从靠近所述第一真空室到远离所述第一真空室由小变大； 所述第一真空室和所述第二真空室的高度一致，所述第三真空室的高度小于所述第一真空室的高度； 所述弧型分叉薄壁真空室采用以下薄壁真空室加工方法加工成型： 对薄壁管进行加工处理； 将所述薄壁管与模具固定； 先对所述薄壁管进行空烧处理，然后再放入真空钎焊炉进行真空钎焊； 将所述薄壁管与超高真空法兰组焊。

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