江苏富乐华功率半导体研究院有限公司;江苏富乐华半导体科技股份有限公司王斌获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏富乐华功率半导体研究院有限公司;江苏富乐华半导体科技股份有限公司申请的专利一种高可靠性的高精度多层陶瓷基板的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120261293B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510390082.3,技术领域涉及:H01L21/48;该发明授权一种高可靠性的高精度多层陶瓷基板的制备方法是由王斌;唐冬梅;管鹏飞设计研发完成,并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高可靠性的高精度多层陶瓷基板的制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种高可靠性的高精度多层陶瓷基板的制备方法,涉及多层陶瓷基板技术领域;具体包括以下步骤:S1:陶瓷微孔加工;S2:磁控溅射;S3:溅射陶瓷图形化;S4:丝印填孔;S5:贴箔烧结;S6:金属箔图像蚀刻和对位丝印;S7:多层陶瓷基板预叠层;S8:二次烧结;S9:外层DPC精细线路制作;本发明结合AMB和DPC两种工艺优势,将DPC工艺与多层板技术相结合,实现具有高布线密度的高精度多层陶瓷基板,本发明产品的可靠性更高,成本更低,能满足未来高密度集成电路封装需求。
本发明授权一种高可靠性的高精度多层陶瓷基板的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种高可靠性的高精度多层陶瓷基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S1:将陶瓷片进行微孔加工,形成定位孔和内部导通孔;清洗,得到陶瓷片A; S2:将陶瓷片A的表面依次进行离子轰击清洗、表面溅射金属层,得到单面陶瓷片、双面陶瓷片; S3:在单面陶瓷片、双面陶瓷片的金属层上进行溅射陶瓷图形化处理,得到图形化单面陶瓷片、图形化双面陶瓷片; S4:对图形化单面陶瓷片、图形化双面陶瓷片进行对位丝印填孔,烘干,对应得到外层瓷片、中间陶瓷片A; S5:将部分中间陶瓷片A双面贴附金属箔,高温烧结、降温;得到贴箔中间陶瓷片A; S6:将贴箔中间陶瓷片A的表面进行金属箔图形蚀刻、对位丝印介质浆料;得到中间陶瓷片B; S7:将外层瓷片、中间陶瓷片A、中间陶瓷片B利用定位孔对位安装,形成叠层结构;得到预叠层多层陶瓷基板; S8:将预叠层多层陶瓷基板进行二次烧结、降温,得到基础多层陶瓷基板; S9:将基础多层陶瓷基板的表面打磨抛光、DPC精细线路制作,得到高精度多层陶瓷基板; 其中,步骤S7中,所述预叠层多层陶瓷基板的叠层结构中:多层陶瓷基板的最外层两面设置外层瓷片;多层陶瓷基板的中间部分,位于单数层的设置中间陶瓷片A,位于双数层的设置中间陶瓷片B;所述多层陶瓷基板内中间陶瓷层叠层数为奇数。
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