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龙图腾网获悉博茵微电子(北京)有限公司申请的专利一种基于metal dummy blockage减小metal dummy对时序影响的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120300016B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510337386.3，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种基于metal dummy blockage减小metal dummy对时序影响的方法是由高键;王文倩设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于metal dummy blockage减小metal dummy对时序影响的方法在说明书摘要公布了：本发明的目的是提供一种基于metaldummyblockage减小metaldummy对时序影响的方法，该方法包括：获取芯片参数和金属密度要求；根据所述芯片参数和所述金属密度要求进行金属填充；验证填充后的芯片是否符合规范。本发明通过用dummyblockage，避免在这些地方加metaldummy，来避免metaldummy对这些走线的影响，不改变这些路径的时序，可减少时序收敛的迭代次数，让时序收敛更可控。

本发明授权一种基于metal dummy blockage减小metal dummy对时序影响的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于metaldummyblockage减小metaldummy对时序影响的方法，其特征在于，包括： 获取芯片参数和金属密度要求； 根据所述芯片参数和所述金属密度要求进行金属填充； 验证填充后的芯片是否符合规范； 其中，所述根据所述芯片参数和所述金属密度要求进行金属填充包括： 根据金属填充阻挡区域层的序号，按照calibre的格式，编写头文件、金属填充阻挡区域对应的GDS层号； 获取芯片的时钟线坐标和金属层； 根据所述时钟线的坐标、金属层，计算对应层的金属填充阻挡区域的坐标； 在数据线中添加金属填充阻挡层； 其中，所述根据金属填充阻挡区域层的序号，按照calibre的格式，编写头文件、金属填充阻挡区域对应的GDS层号包括： 按calibre的格式，生成金属填充阻挡区域的脚本； 采用calibre将所述金属填充阻挡区域的脚本转换为GDS格式； 所述金属填充阻挡区域的脚本包括：相应的头文件、金属填充阻挡区域层号，格式表示为： Layoutcreate-typegds； Layout0creagecellcell_name； Layout0createlayerlayer_num； 其中，所述验证填充后的芯片是否符合规范包括： 采用EDA工具验证金属密度； 检查金属填充后的布局和尺寸； 运行电路，判断电路性能是否符合规范。

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