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龙图腾网获悉安吉芯锐科技有限公司申请的专利高性能处理器芯片封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120300076B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510435738.9，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权高性能处理器芯片封装结构及封装方法是由方嘉凡;高波;钱健康;李强;刘畅设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本高性能处理器芯片封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了高性能处理器芯片封装结构及封装方法，属于芯片封装领域。高性能处理器芯片封装结构，包括高性能处理器芯片层，所述高性能处理器芯片层与中介层电连接，中介层与封装基板电连接，中介层的上方设置有散热盖，高性能处理器芯片层的顶部与散热盖之间设有内导热层，散热盖的外部设有外导热层，外导热层与散热片连接，封装基板侧边设有绝缘层和阻焊层。本发明解决了现有技术芯片会在外力的作用下发生移位，从而影响最终形成的封装结构的性能的问题，本发明实现高性能处理器芯片层与封装基板之间的整体密封和结构加固‌，防止安装后的高性能处理器芯片层在封装基板的上表面上移位，从而确保高性能处理器芯片层封装结构的性能。

本发明授权高性能处理器芯片封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.高性能处理器芯片封装结构，包括高性能处理器芯片层1，其特征在于，所述高性能处理器芯片层1上连接有中介层2，中介层2的底部安装有封装基板3，中介层2的上方设置有散热盖4，高性能处理器芯片层1的顶部与散热盖4之间设有内导热层5，散热盖4的外部设有外导热层6，外导热层6上设置有散热片8，封装基板3侧边设有绝缘层9和阻焊层10，且绝缘层9和阻焊层10沿封装基板3侧边向内缩进；‌ 所述高性能处理器芯片层1的背面设有定位槽14，封装基板3的上表面上形成种子层11，种子层11的上表面形成第一塑封层13，对第一塑封层13和种子层11进行图形化得到定位凸块，高性能处理器芯片层1上的定位槽14安装在封装基板3上的定位凸块上，重新布线层12的底部设置有第二塑封层15，且第二塑封层15与高性能处理器芯片层1电连接，重新布线层12的上表面设有焊球凸块，且焊球凸块与重新布线层12电连接。

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