湖南越摩先进半导体有限公司郑哲获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南越摩先进半导体有限公司申请的专利一种封装打线结构及封装打线方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120341205B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510803623.0，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权一种封装打线结构及封装打线方法是由郑哲;蒙鹏;陈胜利;蔡庆设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种封装打线结构及封装打线方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种封装打线结构及封装打线方法，根据单个焊点打线的密度进行分层打线。将低密度焊点直接打线并经过一层塑封体塑封隔离；高密度的焊点经过错层导电构件错层，并利用导电延展部来扩大焊点面积，使得错层后的高密度的焊点打线密度降低，不会产生打线过程中以及后续工艺冲线短路问题。多层分层打线并分别塑封隔离的打线方法，使得各个密度等级的打线在一个单独被隔离的层间操作，不仅单个焊点打线密度降低，线与线之间的打线密度也得以降低，简化了打线的操作并且提高了可靠性。
本发明授权一种封装打线结构及封装打线方法在权利要求书中公布了：1.一种封装打线结构，包括芯片1和基板2，芯片1上具有第一焊接点11，基板2上具有第二焊接点21，其特征在于，在至少一个第一焊接点11和至少一个第二焊接点21上分别具有向上延伸的错层导电构件5，所述错层导电构件5的顶端具有导电延展部51，未连接错层导电构件5的第一焊接点11和第二焊接点21之间打线形成第一打线层41；还包括至少一层的塑封体3，所述第一打线层41被第一层塑封体31塑封隔离，导电延展部51外露于第一层塑封体31上表面，在导电延展部51之间打线形成第二打线层42。
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