厦门市三安集成电路有限公司黄奇鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利一种半导体芯片及制作方法、应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120379304B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510866409.X,技术领域涉及:H10D30/47;该发明授权一种半导体芯片及制作方法、应用是由黄奇鹏;黄龙泉;刘胜厚;钟杰斌设计研发完成,并于2025-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体芯片及制作方法、应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种半导体芯片,包括设置在衬底上的半导体叠层,半导体叠层设有功能区域,半导体叠层上设有保护结构,从俯视图上看,保护结构设置在功能区域的外围;保护结构包括至少两层金属层;每一层的金属层包含至少一段金属段;上层的金属层部分叠设在下层金属层上;保护结构在从半导体叠层到衬底方向的投影形状为第一封闭图形,每一层金属层在从半导体叠层到衬底方向的投影形状为非封闭图形。本发明的半导体芯片的每一层金属层都会对芯片制程中产生的两个带电不同电荷的物体之间通过接触或接近产生的突然电荷转移现象进行消除,形成电荷释放通路,防止芯片制程中的半导体叠层损伤,增加半导体芯片的优良品产出比例。
本发明授权一种半导体芯片及制作方法、应用在权利要求书中公布了:1.一种半导体芯片,包括衬底和叠设在衬底上的半导体叠层,半导体叠层设有功能区域,所述功能区域形成有半导体元件,其特征在于: 所述半导体叠层上设有保护结构,从俯视图上看,所述保护结构设置在所述功能区域的外围的非功能区域; 所述功能区域包括器件区和设置于所述器件区外的焊盘区;所述焊盘区设置有至少一焊盘;所述器件区设置有至少一电极; 所述保护结构包括至少两层金属层;每一层的金属层包含至少一段金属段;上层的金属层部分叠设在下层金属层上; 所述保护结构在从半导体叠层到衬底方向的投影形状为第一封闭图形,每一层金属层在从半导体叠层到衬底方向的投影形状为非封闭图形。
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