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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种梯度集水表面结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120425793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510567571.1，技术领域涉及：E03B3/28；该发明授权一种梯度集水表面结构及其制备方法是由黄光汉;刘爽;苗文杰;王永健;刘健涛;杨冠南;崔成强;张昱;廖嘉威设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种梯度集水表面结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种梯度集水表面结构及其制备方法，所述梯度集水表面结构包括基底、亲水区域和疏水区域，亲水区域和疏水区域设置于基底的表面；疏水区域具有疏水性；亲水区域包括低亲水性子区和高亲水性子区，高亲水性子区位于低亲水性子区和疏水区域之间。低亲水性子区设有第一球状阵列，高亲水性子区设有第二球状阵列，提高了梯度集水表面结构中原氧化铜层的比表面积，提高与水滴的接触面积，从而提高集水效率。第一球状阵列由若干第一球状凸起组成，第二球状阵列由若干第二球状凸起组成，第一球状凸起和第二球状凸起均为氧化铜，与铜单质集水表面相比，氧化铜在空气中工作时的润湿性能更稳定，不易被污染，大大增加了使用寿命。

本发明授权一种梯度集水表面结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种梯度集水表面结构，其特征在于，所述梯度集水表面结构包括基底、亲水区域和疏水区域，所述亲水区域和疏水区域设置于基底的表面；所述疏水区域具有疏水性；所述亲水区域包括低亲水性子区和高亲水性子区，所述高亲水性子区位于低亲水性子区和疏水区域之间； 所述低亲水性子区的表面分布有第一球状阵列，所述第一球状阵列包括若干个第一球状凸起；所述第一球状凸起间隔分布于基底的表面，且所述第一球状凸起的直径为1～2μm；所述低亲水性子区的表面氧的质量含量为5～10%，所述低亲水性子区的接触角为40～60°； 所述高亲水性子区的表面设有纳米片状氧化铜层和第二球状阵列，所述第二球状阵列包括若干个第二球状凸起，所述第二球状凸起间隔分布于纳米片状氧化铜层的表面，所述纳米片状氧化铜层位于基底的表面；所述第二球状凸起的直径为200～800nm；所述高亲水性子区的表面氧的质量含量为15～20%，所述高亲水性子区的接触角为0～20°； 所述第一球状凸起和第二球状凸起均为氧化铜； 所述亲水区域还包括中亲水性子区，所述中亲水性子区位于高亲水性子区和低亲水性子区之间；所述中亲水性子区的亲水性大于低亲水性子区的亲水性，且所述中亲水性子区的亲水性小于高亲水性子区的亲水性； 所述中亲水性子区的表面分布有第三球状阵列，所述第三球状阵列包括若干个第三球状凸起，所述第三球状凸起间隔分布于基底的表面，且所述第三球状凸起的直径为0.2～2μm；所述中亲水性子区的表面氧的质量含量为10～15%，所述中亲水性子区的接触角为20～40°； 制备方法包括以下步骤： 预处理：对铜基底的表面进行抛光和清洗； 化学腐蚀：将预处理后的铜基底的表面浸入腐蚀液中进行化学腐蚀，在铜基底的表面生成氧化铜层，得到基板； 划分区域：在基板的表面划分出低亲水性子区、中亲水性子区、高亲水性子区和疏水区域； 第一次融化重构：采用第一脉冲激光对低亲水性子区区域的氧化铜层进行第一次融化重构，将氧化铜层融化成若干个第一球状凸起，形成第一球状阵列； 第二次融化重构：采用第二脉冲激光对中亲水性子区区域的氧化铜层进行融化重构，将氧化铜层融化成若干个第三球状凸起，形成第三球状阵列； 第三次融化重构：采用第三脉冲激光对高亲水性子区区域的氧化铜层进行融化重构，将氧化铜层的表面融化成若干个第二球状凸起，使未融化的氧化铜层形成纳米片状氧化铜层，融化的氧化铜层形成第二球状阵列； 疏水处理：对疏水区域喷涂疏水材料，即得到梯度集水表面结构。

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