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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120512908B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510993190.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权MOSFET器件是由何亚伟;金锐;和峰;桑玲;李新宇设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOSFET器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种MOSFET器件，包括：第一部分、第二部分和第三部分，第一部分和第三部分沿第一方向邻接，第二部分位于第三部分上；第一阱区和第二阱区，第一阱区位于第一部分中，第二阱区位于第二部分中；第一源区、第二源区、第一沟道区和第二沟道区，第一源区和第一沟道区位于第一阱区中，第二源区和第二沟道区位于第二阱区中，在第一方向上第一部分中具有位于第一沟道区远离第一源区一侧的部分区域，在第二方向上第二部分中具有位于第二沟道区远离第二源区一侧且与第三部分接触的部分区域；栅极结构，位于第一部分上，在第一方向上栅极结构覆盖第二源区和第二沟道区，在第二方向上栅极结构覆盖第一源区和第一沟道区。

本发明授权MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件，其特征在于，包括： 半导体基体，包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和所述第三部分沿第一方向邻接，所述第二部分位于所述第三部分上； 阱区，包括第一阱区和第二阱区，所述第一阱区位于所述第一部分中，所述第二阱区位于所述第二部分中，所述阱区和所述半导体基体的导电类型相反； 有源区，包括第一源区、第二源区、第一沟道区和第二沟道区，所述第一源区和所述第一沟道区位于所述第一阱区中，所述第二源区和所述第二沟道区位于所述第二阱区中，在所述第一方向上所述第一部分中具有位于所述第一沟道区远离所述第一源区一侧的部分区域，在第二方向上所述第二部分中具有位于所述第二沟道区远离所述第二源区一侧且与所述第三部分接触的部分区域，所述第一方向与所述第二方向垂直； 栅极结构，位于所述第一部分上，在所述第一方向上所述栅极结构覆盖所述第二源区和所述第二沟道区，在所述第二方向上所述栅极结构覆盖所述第一源区和所述第一沟道区； 第一电场屏蔽区，位于所述第二部分中，且在第三方向上所述第一电场屏蔽区分别与所述第二源区、所述第二沟道区和所述第二部分中的部分区域邻接，所述第三方向分别与所述第一方向和所述第二方向垂直，所述第一电场屏蔽区与所述半导体基体的导电类型相反。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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