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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120529632B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511010491.2，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其制备方法是由孙亚楠;崔卫刚;石亮设计研发完成，并于2025-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及其制备方法；制备方法可以包括：提供基底，基底包括横向排布的SGT器件区和BCD器件区，SGT器件区和BCD器件区的导电类型不同；于SGT器件区和BCD器件区形成多个深沟槽；对多个深沟槽进行栅极材料填充，形成SGT器件区的第一耐压栅结构和至少一个栅极填充结构，以及BCD器件区的第二耐压栅结构，第一耐压栅结构临近BCD器件区；基于至少一个栅极填充结构形成屏蔽栅结构；于BCD器件区形成多个间隔排布的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构位于第一耐压栅结构和第二耐压栅结构之间。本申请能够降低SGT和BCD器件集成的工艺成本，并简化器件连接。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括横向排布的SGT器件区和BCD器件区，所述SGT器件区和所述BCD器件区的导电类型不同； 于所述SGT器件区和所述BCD器件区形成多个深沟槽；所述深沟槽的槽壁和所述基底表面具有第一氧化层； 对所述多个深沟槽进行栅极材料填充，形成所述SGT器件区的第一耐压栅结构和至少一个栅极填充结构，以及所述BCD器件区的第二耐压栅结构，所述第一耐压栅结构临近所述BCD器件区； 遮蔽所述第一耐压栅结构和所述第二耐压栅结构； 回刻各所述栅极填充结构，形成屏蔽栅结构中第一屏蔽栅结构的屏蔽栅极和第二屏蔽栅结构对应的初始屏蔽栅； 遮蔽所述第一屏蔽栅结构的屏蔽栅极，并去除所述第一氧化层的暴露部分，以暴露未遮蔽的基底表面、第二屏蔽栅结构对应的部分深沟槽侧壁和部分所述初始屏蔽栅； 对所述初始屏蔽栅的露出部分、暴露的深沟槽槽壁和暴露的基底表面进行氧化处理，形成隔离氧化层和所述第二屏蔽栅结构的屏蔽栅极，所述隔离氧化层与第一氧化层连续； 基于栅极材料回填工艺于所述屏蔽栅极上方形成控制栅极，所述屏蔽栅极和所述控制栅极通过所述隔离氧化层和所述第一氧化层隔离； 于所述BCD器件区形成多个间隔排布的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述第一耐压栅结构和所述第二耐压栅结构之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州富芯半导体有限公司，其通讯地址为：311418 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号(滨富合作区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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